[发明专利]图案处理方法在审
| 申请号： | 201610383259.8 | 申请日： | 2016-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN106249540A | 公开（公告）日： | 2016-12-21 |
| 发明（设计）人： | H·周;M·李;V·吉安;J·K·朴;P·D·休斯塔德;J·W·成 | 申请（专利权）人： | 陶氏环球技术有限责任公司;罗门哈斯电子材料有限责任公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/09;G03F7/004 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司31100 | 代理人： | 胡嘉倩;陈哲锋 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及图案处理方法，其包含：(a)提供半导体衬底，其在其表面上包含图案化特征；(b)向图案化特征施用图案处理组合物，其中所述图案处理组合物包含嵌段共聚物和溶剂，其中所述嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段，其中所述第一嵌段包含由第一单体形成的单元，所述第一单体包含烯系不饱和可聚合基团和氢受体基团，其中氢受体基团是含氮基团，并且第二嵌段包含由第二单体形成的单元，所述第二单体包含烯系不饱和可聚合基团和环状脂肪族基团；以及(c)将残余图案处理组合物从衬底洗去，留下结合到图案化特征的嵌段共聚物部分。所述方法尤其适用于制造提供高分辨率图案的半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 图案 处理 方法 | ||
【主权项】：
一种图案处理方法，其包含：(a)提供半导体衬底，其在其表面上包含图案化特征；(b)向所述图案化特征施用图案处理组合物，其中所述图案处理组合物包含嵌段共聚物和溶剂，其中所述嵌段共聚物包含第一嵌段和第二嵌段，其中所述第一嵌段包含由第一单体形成的单元，所述第一单体包含烯系不饱和可聚合基团和氢受体基团，其中所述氢受体基团是含氮基团，并且所述第二嵌段包含由第二单体形成的单元，所述第二单体包含烯系不饱和可聚合基团和环状脂肪族基团；以及(c)从所述衬底洗去残余图案处理组合物，留下结合到所述图案化特征的所述嵌段共聚物部分。
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