[发明专利]AMOLED像素驱动电路的制作方法

摘要

本发明提供一种AMOLED像素驱动电路的制作方法，该方法采用氧化物半导体薄膜晶体管作为AMOLED像素驱动电路的开关薄膜晶体管，能够减小开关薄膜晶体管的漏电流，采用固相晶化技术制作的P型多晶硅薄膜晶体管作为AMOLED像素驱动电路的驱动薄膜晶体管，能够提升驱动薄膜晶体管的迁移率、均一性、以及可靠性，并且用P型薄膜晶体管作为驱动薄膜晶体管，能够形成恒定电流型的OLED器件，相比于N型薄膜晶体管形成的源极跟随型OLED器件更加稳定，同时通过顶栅型结构减小其寄生电容。

主权项

1.一种AMOLED像素驱动电路的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：/n步骤1、提供一基板(1)，对所述基板(1)进行清洗和预烘烤；/n步骤2、在所述基板(1)上沉积一缓冲层(2)，在所述缓冲层(2)上沉积一非晶硅层(3’)；/n步骤3、对所述非晶硅层(3’)进行P型离子掺杂和快速热退火使其结晶为多晶硅层，图案化所述多晶硅层形成驱动薄膜晶体管有源层(31)、以及存储电容下电极(32)；/n步骤4、在所述驱动薄膜晶体管有源层(31)、存储电容下电极(32)、以及缓冲层(2)上沉积一层栅极绝缘层(4)；/n步骤5、在所述栅极绝缘层(4)上沉积第一金属层，图案化所述第一金属层，形成位于所述驱动薄膜晶体管有源层(31)上方的驱动薄膜晶体管栅极(41)、与所述驱动薄膜晶体管栅极(41)间隔排列的开关薄膜晶体管栅极(42)、以及位于所述存储电容下电极(32)上方的存储电容上电极(43)；/n步骤6、在所述驱动薄膜晶体管栅极(41)、开关薄膜晶体管栅极(42)、存储电容上电极(43)、及栅极绝缘层(4)上沉积一层间绝缘层(5)；/n步骤7、在所述层间绝缘层(5)上沉积一氧化物半导体层，图案化所述氧化物半导体层形成位于所述开关薄膜晶体管栅极(42)上方的开关薄膜晶体管有源层(61)；/n步骤8、图案化所述层间绝缘层(5)及栅极绝缘层(4)，形成贯穿层间绝缘层(5)及栅极绝缘层(4)的第一过孔(51)与第二过孔(52)，所述第一过孔(51)与第二过孔(52)分别暴露出驱动薄膜晶体管有源层(31)的两端；/n步骤9、在所述层间绝缘层(5)、及开关薄膜晶体管有源层(61)上沉积第二金属层，图案化所述第二金属层形成驱动薄膜晶体管源极(73)、驱动薄膜晶体管漏极(74)、开关薄膜晶体管源极(71)、及开关薄膜晶体管漏极(72)；/n所述驱动薄膜晶体管源极(73)、及驱动薄膜晶体管漏极(74)分别通过第一过孔(51)与第二过孔(52)与所述驱动薄膜晶体管有源层(31)的两端相接触；/n所述开关薄膜晶体管源极(71)、及开关薄膜晶体管漏极(72)分别与所述开关薄膜晶体管有源层(61)的两端相接触；/n所述开关薄膜晶体管漏极(72)与所述驱动薄膜晶体管源极(73)电性连接；/n所述步骤3中掺杂的P型离子为硼离子；/n所述步骤9中，图案化所述第二金属层形成驱动薄膜晶体管源极(73)、驱动薄膜晶体管漏极(74)、开关薄膜晶体管源极(71)、及开关薄膜晶体管漏极(72)的同时所述开关薄膜晶体管漏极(72)与所述驱动薄膜晶体管源极(73)电性连接。/n