[发明专利]一种室温稀磁半导体的制备方法在审
| 申请号： | 201610368119.3 | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105931792A | 公开（公告）日： | 2016-09-07 |
| 发明（设计）人： | 刘天府;谢玉玉;杜睿智;魏晨燕 | 申请（专利权）人： | 北京理工大学 |
| 主分类号： | H01F1/40 | 分类号： | H01F1/40;C01G9/02 |
| 代理公司： | 北京理工大学专利中心 11120 | 代理人： | 杨志兵;李爱英 |
| 地址： | 100081 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种室温稀磁半导体的制备方法，属于稀磁半导体制备技术领域。该方法将金属盐和丙二酸溶解到醇溶液中，调节pH值至中性，反应后过滤，洗涤，干燥，得到丙二酸配合物；将丙二酸配合物在高温煅烧一段时间，得到该室温稀磁半导体。该方法利用配合物为前驱体合成的氧化锌半导体中，均匀掺杂不同浓度的过渡金属锰，在不同温度下煅烧后得到锰掺杂的具有室温铁磁性的室温稀磁半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 室温 半导体 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种室温稀磁半导体的制备方法，其特征在于：所述方法步骤如下：(1)将金属盐和H2mal溶解到醇溶液中，得到混合溶液；调节混合溶液的pH值至中性，反应0.5～2h，过滤，用醇溶液洗涤沉淀，干燥，得到丙二酸配合物Zn1‑xMnx(mal)2，0.01≤x≤0.1；其中，所述金属盐为硝酸锌和乙酸锰的混合物，硝酸锌与乙酸锰的物质的量之比为(1‑x):x；所述醇溶液为甲醇、乙醇、丙醇或异丙醇；(2)将Zn1‑xMnx(mal)2在空气气氛下于400～800℃下煅烧1～2h，得到所述室温稀磁半导体Zn1‑xMnxO。
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