[发明专利]基板处理装置有效
申请号: | 201610364710.1 | 申请日: | 2016-05-27 |
公开(公告)号: | CN106206367B | 公开(公告)日: | 2019-03-05 |
发明(设计)人: | 岩尾通矩;村元僚 | 申请(专利权)人: | 株式会社思可林集团 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 宋晓宝;向勇 |
地址: | 日本国京*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供一种对基板进行处理的基板处理装置,其目的在于,在具有多个挡板的杯部中,抑制挡板间的气体的流动。在基板处理装置中,多个卡紧件以及多个卡合部配置在比基座支撑部向径向外方扩展的保持基座部的上表面上,多个卡合部位于多个卡紧件的径向外侧。大致圆环状的下部突出部在保持基座部的下方从基座支撑部向径向外方扩展。在杯部中,挡板移动机构使第一挡板在受液位置和待避位置之间在上下方向上移动,使接受来自基板的处理液的挡板在第一挡板和第二挡板之间切换。下部突出部在第一挡板位于待避位置的状态下,面对第一挡板顶盖部的内周缘。由此,能够抑制第一挡板和第二挡板之间的气体的流动。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理装置,对基板进行处理,其特征在于,该基板处理装置具有:基板保持部,将基板保持为水平状态,相向构件,由所述基板保持部保持并与所述基板的上表面相向,并且在该相向构件的中央部设置有相向构件开口,基板旋转机构,配置在所述基板保持部的下方,使所述基板以及所述相向构件与所述基板保持部一起以朝向上下方向的中心轴为中心进行旋转,旋转机构容纳部,在所述基板保持部的下方容纳所述基板旋转机构,处理液供给部,经由所述相向构件开口向所述基板的所述上表面供给处理液,杯部,配置在所述基板保持部的周围,接受来自所述基板的处理液,净化气体供给部;所述基板保持部具有:基座支撑部,圆板状的保持基座部,由所述基座支撑部从下方支撑,并且比所述基座支撑部向径向外方扩展,多个卡紧件,配置在所述保持基座部的上表面,支撑所述基板,相向构件支撑部,在所述保持基座部的所述上表面上配置在所述多个卡紧件的径向外侧,支撑所述相向构件;所述杯部具有:第一挡板,具有圆筒状的第一挡板侧壁部以及从所述第一挡板侧壁部的上端部向径向内方扩展的圆环板状的第一挡板顶盖部,第二挡板,具有位于所述第一挡板侧壁部的径向外侧的圆筒状的第二挡板侧壁部以及在所述第一挡板顶盖部的上方从所述第二挡板侧壁部的上端部向径向内方扩展的圆环板状的第二挡板顶盖部,挡板移动机构,通过使所述第一挡板在接受来自所述基板的处理液的受液位置和所述受液位置的下方的待避位置之间在所述上下方向上进行移动,使接受来自所述基板的处理液的挡板在所述第一挡板和所述第二挡板之间进行切换,排出口,排出所述第一挡板内以及所述第二挡板内的气体;所述第一挡板顶盖部的内径以及所述第二挡板顶盖部的内径大于所述保持基座部的外径以及所述相向构件的外径,该基板处理装置设置有圆环状的下部突出部,该下部突出部在所述保持基座部的下方从所述基座支撑部或所述旋转机构容纳部向径向外方扩展,在所述第一挡板位于所述待避位置的状态下,该下部突出部面对所述第一挡板顶盖部的内周缘,所述净化气体供给部向所述基板保持部的所述基座支撑部和所述旋转机构容纳部之间的空间供给净化气体,形成从中央部流向径向外方的气流。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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