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- [发明专利]热处理方法-CN201811542249.X有效
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青山敬幸;加藤慎一
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株式会社思可林集团
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2015-09-11
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2023-04-25
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H01L21/04
- 本发明提供能够得到低的金半接触电阻而不会使器件特性劣化的半导体制造方法以及半导体制造装置。通过从闪光灯(FL)对形成了金属层的半导体基板(W)的表面以1秒以下的照射时间照射闪光，将包含金属层以及杂质区域的半导体基板(W)的表面瞬间地升温至1000℃以上的处理温度。另外，在包含氢的混合气体的环境中，对半导体基板(W)的表面照射闪光进行加热处理。通过在混合气体的环境中将半导体基板(W)的表面在极短时间加热至高温，能够使金半接触电阻降低，而不会使在栅极氧化膜的界面附近为了氢封端而取入的氢解吸。
- 热处理方法
- [发明专利]基板处理装置-CN201910992359.4有效
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武明励;安藤幸嗣;前川直嗣;安武阳介
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株式会社思可林集团
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2016-06-20
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2023-04-18
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H01L21/67
- 本发明的基板处理装置一边抑制残留处理液进入器件区域一边处理上表面周缘部，具有：基板保持部，将基板保持为大致水平，围绕规定旋转轴旋转，旋转机构，使基板保持部围绕旋转轴旋转，处理液喷出部，以使液流接触以旋转轴为中心旋转的基板的上表面周缘部的旋转轨迹中的一部分的着落位置的方式喷出处理液的液流，气体喷出部，从上方朝向旋转轨迹中的着落位置的基板的旋转方向的上游侧的第一位置喷出非活性气体的第一气流，使第一气流从第一位置朝向基板的周缘，从上方朝向旋转轨迹中的第一位置的基板的旋转方向的上游侧的第二位置喷出非活性气体的第二气流，使第二气流从第二位置朝向基板的周缘；第二气流喷出时的动能小于第一气流喷出时的动能。
- 处理装置
- [发明专利]基板处理方法以及基板处理装置-CN201810587698.X有效
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藤井达也
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株式会社思可林集团
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2014-08-20
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2022-12-16
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H01L21/02
- 本发明的基板处理方法包括：基板旋转步骤，使基板围绕规定的铅垂轴线以第一旋转速度旋转；液密状态形成步骤，与所述基板旋转步骤并行执行，一边使第一相向面隔开规定的第一间隔与正在旋转的所述基板的下表面相向，一边从与所述基板的下表面相向的下表面喷嘴的处理液喷出口喷出处理液，利用处理液使所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间形成液密状态；液密状态解除步骤，在所述液密状态形成步骤后，通过使所述基板的下表面与所述第一相向面彼此远离，来解除所述基板的下表面与所述第一相向面之间的空间的液密状态。
- 处理方法以及装置
- [发明专利]基板处理装置-CN201811396341.X有效
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吉田武司
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株式会社思可林集团
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2015-02-23
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2022-03-08
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H01L21/67
- 基板处理装置(1)包括：具有上部开口(222)的腔室本体(22)；具有下部开口(232)的腔室盖部(23)；位于腔室盖部(23)的盖内部空间(231)的遮蔽板(51)。遮蔽板(51)的径方向的尺寸比下部开口(232)的径方向的尺寸大。腔室本体(22)的上部开口(222)通过腔室盖部(23)而被覆盖，从而形成使基板(9)容纳在内部的腔室体(21)。在基板处理装置(1)中，在基板(9)被移入而形成腔室体(21)之前，在遮蔽板(51)与下部开口(232)重合的状态下，从气体供给部(812)所供给的气体被填充至腔室盖部(23)的盖内部空间(231)中。由此，形成腔室体(21)后，腔室体(21)内迅速被气体所充满，从而能够实现所期望的低氧气气氛。
- 处理装置
- [发明专利]涂布装置及涂布方法-CN201610421023.9有效
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时枝大佐
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株式会社思可林集团
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2016-06-13
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2020-12-22
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B05C5/02
- 本发明涉及一种涂布装置及涂布方法，抑制在输送至喷嘴的涂布液中含有异物及气体成分而将涂布液良好地涂布于基板上。涂布装置是将涂布液涂布于基板上，包括：蓄积部，蓄积涂布液；喷嘴，向基板喷出涂布液；配管，使涂布液从蓄积部流通至喷嘴；泵，插设于配管而将涂布液输送至喷嘴；过滤器，插设于蓄积部与泵之间的配管而去除从蓄积部供给的涂布液中存在的异物；以及第1脱气部，插设于过滤器与泵之间的配管而从已穿过过滤器的涂布液中去除气泡。
- 装置方法
- [发明专利]细胞观察装置以及细胞观察方法-CN201610773242.3有效
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疋田雄一郎
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株式会社思可林集团
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2016-08-30
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2020-04-28
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G01N21/01
- 一种细胞观察装置，具备：摄像装置，其通过改变焦点位置来能够对容纳有细胞的容器进行摄像；照明装置，其对所述容器进行照射；控制部，其对所述摄像装置进行控制。控制部包括：包围曝光摄像控制部，其使摄像装置在改变所述焦点位置的同时、拍摄多张包围曝光图像D1；方差值计算部，其计算各包围曝光图像D1的像素值的方差值D2；边缘指标值计算部，其计算表示各包围曝光图像D1的边缘强度的边缘指标值D3；聚焦评价值计算部，其根据方差值D2和边缘指标值D3，计算在对焦位置具有极小值的聚焦评价值D4；对焦位置推测部，其计算聚焦评价值D4具有极小值的焦点位置，对对焦位置进行推测。
- 细胞观察装置以及方法
- [发明专利]涂敷膜形成系统以及涂敷膜形成方法-CN201610183321.9有效
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山越润一;陆井秀晃
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株式会社思可林集团
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2016-03-28
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2020-03-10
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B05D3/04
- 本发明提供一种适当地控制用于使涂敷于基材上的浆状的涂敷液干燥的干燥强度的技术。干燥装置(3A)使涂敷于连续搬运的基材(51)的一侧主面(51)上的浆状的涂敷液(41)干燥。干燥装置(3A)具有：加热部(涂敷面侧加热部(35)以及背面侧加热部(37))，对涂敷液(41)进行加热处理；辐射温度计(39)，在加热部的搬运方向上的下游侧的位置，对基材(5)上的辐射率不会因加热处理变动的另一侧主面(53)上的辅射率不变部位(531)的温度进行测量；加热控制部(711)，基于辐射温度计(39)测量出的温度来控制加热部进行的加热处理的强度。
- 涂敷膜形成系统以及方法
- [发明专利]热处理方法以及热处理装置-CN201610525945.4有效
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谷村英昭;布施和彦
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株式会社思可林集团
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2016-07-06
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2020-01-24
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H01L21/26
- 本发明提供一种能够省略仿真运行的热处理方法以及热处理装置。在从卤素灯(HL)向在腔室(6)内被支座(74)保持的半导体晶片(W)的下表面照射光来进行预加热之后，从闪光灯(FL)向该半导体晶片(W)的上表面照射闪光来进行闪光加热。在开始对一批次中最初的半导体晶片(W)进行热处理之前，将被加热器(22)加热的高温的处理气体供给至腔室(6)内，从而对包括支座(74)的腔室内结构体进行预热。使腔室内结构体升温至与进行正常处理时相同程度的温度，从而即使在不进行仿真运行的情况下，也能够使构成一批次的所有半导体晶片(W)被相同温度的支座(74)支撑，从而能够使温度履历均匀。
- 热处理方法以及装置
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