[发明专利]单晶硅生长方法在审
| 申请号： | 201610364030.X | 申请日： | 2016-05-30 |
| 公开（公告）号： | CN105887188A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 张俊宝;刘浦锋;宋洪伟;陈猛 | 申请（专利权）人： | 上海超硅半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B15/20 | 分类号： | C30B15/20;C30B29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201604 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明是一种单晶硅生长方法，首先通过采用模拟单晶硅棒及热电偶检测单晶硅棒上的温度分布状态，确定单晶硅棒上920℃‑700℃温度区间的实际位置，并对这一位置区间设置冷却管，对晶棒进行冷却；使单晶硅棒在920℃‑700℃温度区间的停留时间小于180min，以确定单晶硅提拉速度，防止氧化堆垛缺陷（OSF）的形成。本发明在不降低生产效率的前提下，可生长长度大于1.0m的单晶硅棒，不形成OSF缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 单晶硅 生长 方法 | ||
【主权项】：
单晶硅生长方法，采用直拉法单晶硅生长工艺，其特征在于，首先通过采用模拟单晶硅棒及热电偶检测单晶硅棒上的温度分布状态，确定单晶硅棒上920℃‑700℃温度区间的实际位置，并在提拉腔体内对这一位置区间设置冷却管，对单晶硅棒进行冷却；使单晶硅棒在920℃‑700℃温度区间的停留时间小于180min，以此确定单晶硅提拉速度V。
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