[发明专利]一种用于薄膜混合集成电路的生产型多靶磁控溅射系统有效
申请号: | 201610360059.0 | 申请日: | 2016-05-27 |
公开(公告)号: | CN106399957B | 公开(公告)日: | 2019-01-08 |
发明(设计)人: | 佘鹏程;彭立波;陈特超;毛朝斌;陈立宁 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/56 |
代理公司: | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人: | 周长清;戴玲 |
地址: | 410111 湖南*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | 本发明公开了一种用于薄膜混合集成电路的生产型多靶磁控溅射系统,包括机架、真空腔体和真空获得系统,真空腔体包括预真空室和工艺腔室,预真空室位于工艺腔室的上方且与工艺腔室连通,工艺腔室内分别设有溅射靶组件、加热组件、扫描小车、射频清洗台以及可从工艺腔室上升至预真空室的基片架,基片架上设有可隔断预真空室和工艺腔室的底板,扫描小车用于承接基片架上的基片盘并带动基片盘在溅射靶组件、加热组件、射频清洗台之间移动,真空获得系统用于对预真空室和工艺腔室抽真空。本发明具有成本低、可实现基片自动装载和连续在线溅射沉膜的优点。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 薄膜 混合 集成电路 生产 型多靶 磁控溅射 系统 | ||
【主权项】:
1.一种用于薄膜混合集成电路的生产型多靶磁控溅射系统,其特征在于:包括机架(1)、真空腔体(2)和真空获得系统(3),所述真空腔体(2)包括预真空室(21)和工艺腔室(22),所述预真空室(21)位于工艺腔室(22)的上方且与工艺腔室(22)连通,所述工艺腔室(22)内分别设有溅射靶组件(4)、加热组件(5)、扫描小车(6)、射频清洗台(7)以及可从工艺腔室(22)上升至预真空室(21)的基片架(8),所述基片架(8)上设有可隔断预真空室(21)和工艺腔室(22)的底板(81),所述扫描小车(6)用于承接基片架(8)上的基片盘(82)并带动基片盘(82)在溅射靶组件(4)、加热组件(5)、射频清洗台(7)之间移动,所述真空获得系统(3)用于对预真空室(21)和工艺腔室(22)抽真空,所述溅射靶组件(4)包括多个溅射靶(41),各溅射靶(41)间隔安装于工艺腔室(22)的顶板(221)上,所述溅射靶组件(4)的下方设有可移动的挡板机构(42),所述挡板机构(42)上设有可与任意一个溅射靶(41)对应的溅射缺口(421),相邻两个溅射靶(41)之间设有隔板(43)。
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