[发明专利]防止有形貌晶圆表面刻蚀损伤的光刻刻蚀方法有效
| 申请号： | 201610357141.8 | 申请日： | 2016-05-25 |
| 公开（公告）号： | CN105845564B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 殷冠华;陈昊瑜;顾珍 | 申请（专利权）人： | 上海华力微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种防止有形貌晶圆表面刻蚀损伤的光刻刻蚀方法，包括：在存储单元区域在衬底上形成浮栅层和存储单元控制栅极层，而且在外围区域在衬底上形成栅极多晶硅层，随后在衬底上淀积高级图形化薄膜；在高级图形化薄膜上形成间隙填充材料层，以填充高级图形化薄膜的凹凸部位；采用平坦化回处理工艺将高级图形化薄膜形貌平整化；淀积抗反射涂层薄膜；涂覆光刻胶并且形成光刻胶图案；利用光刻胶图案执行刻蚀处理以便对浮栅层和存储单元控制栅极层进行刻蚀。 | ||
| 搜索关键词： | 防止 形貌 表面 刻蚀 损伤 光刻 方法 | ||
【主权项】：
1.一种防止有形貌晶圆表面刻蚀损伤的光刻刻蚀方法，其特征在于包括：第一步骤：在存储单元区域的衬底上形成浮栅层和存储单元控制栅极层，而且在外围区域的衬底上形成栅极多晶硅层，随后在衬底上淀积高级图形化薄膜；第二步骤：在高级图形化薄膜上形成间隙填充材料层，以填充高级图形化薄膜的凹凸部位；第三步骤：采用平坦化回处理工艺将高级图形化薄膜形貌平整化；第四步骤：淀积抗反射涂层薄膜；第五步骤：涂覆光刻胶并且形成光刻胶图案；第六步骤：利用光刻胶图案执行刻蚀处理以便对浮栅层和存储单元控制栅极层进行刻蚀。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
