[发明专利]一种基于泰伯效应恢复光栅缺陷的紫外光刻方法在审
| 申请号： | 201610348109.3 | 申请日： | 2016-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN105892232A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 邓茜;刘俊伯;赵立新;胡松 | 申请（专利权）人： | 四川科奥达技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/00 | 分类号： | G03F7/00;G03F7/20 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 徐金琼 |
| 地址： | 610207 *** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于泰伯效应恢复光栅缺陷的紫外光刻方法，属于微电子、微光学、微纳结构和光电子器件制备等微纳加工领域的光刻技术领域，解决现有技术存在的极紫外光源体积大，成本高，操作安全系数难以保证的问题。本发明步骤为：(1)制备存在不同缺陷的一维线性掩膜版；(2)获取涂有光刻胶的样片，并将掩膜版与样片进行对准；(3)获取紫外i线光对存在缺陷的掩膜版进行照明和对涂有光刻胶的样片进行曝光；(4)将曝光后的样片进行显影，后烘，刻蚀，去胶工艺,即可完成对存在缺陷的一维线性掩膜的缺陷恢复,制作得到完好一致的线性掩膜版。本发明可用于对缺陷掩膜结构的完整恢复。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 效应 恢复 光栅 缺陷 紫外 光刻 方法 | ||
【主权项】：
一种基于泰伯效应恢复光栅缺陷的紫外光刻方法，其特征在于：如下步骤；(1)制备存在不同缺陷的一维线性掩膜版；(2)获取涂有光刻胶的样片，并将掩膜版与样片进行对准；(3)获取紫外i线光对掩膜版照明和涂有光刻胶的样片进行曝光；(4)将曝光后的样片依次进行显影、后烘、刻蚀和去胶,即可完成对缺陷掩膜结构恢复,得到完整一致的掩膜结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于四川科奥达技术有限公司，未经四川科奥达技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610348109.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种用指针指示多功能状态的智能手表
- 下一篇：一种井用杆式防腐器
