[发明专利]一种晶圆处理方法

摘要

本发明公布一种晶圆处理方法。该晶圆处理方法主要包括：惰性气体干燥步骤，有机溶剂干燥步骤和升温干燥步骤，其中有机溶剂干燥步骤包括：恒压干燥步骤，在预设时间内，将腔体内的压强保持在第一压强，同时向腔体内通入有机溶剂蒸汽；和降压干燥步骤，逐步将腔体内的压强自第一压强降低至第二压强，同时向腔体内通入有机溶剂蒸汽，通过降低腔内压强的形式而控制并加快少量水分的蒸发。本发明能够解决现有晶圆干燥模式中存在的问题，特别是能够更好地适应集成电路器件形貌从二维平面结构往三维结构、密集度不断提高的发展趋势。

主权项

一种晶圆处理装置，其特征在于，包括：腔体，其为具有可开启挡板的密闭结构，并且内部设有浸泡槽，所述浸泡槽具有废液排出口；真空系统，对所述腔体内的压强进行调控和保持；气体供给系统，包括惰性气体供给单元和有机溶剂蒸汽供给单元，分别向所述腔体供给惰性气体和有机溶剂蒸汽；以及，温度调控系统，对所述腔体温度进行调控。