[发明专利]一种铟凸点器件结构及其制备方法

摘要

本发明涉及一种铟凸点器件结构及其制备方法，属于铟凸点器件制备技术领域。该器件结构包含半导体衬底、焊盘、第一钝化层、第二钝化层、UBM金属层和铟凸点；UBM金属层包括粘附层、阻挡层、缓冲层和浸润层；在该器件结构中，粘附层覆盖了部分第一钝化层，第二钝化层又覆盖了部分粘附层，这种堆叠结构提供了较高的结构强度，当器件受到热冲击时，可防止由于热应力而导致的铟凸点和UBM组成的结构沿着粘附层和第一钝化层界面而脱落的情况。此外，缓冲层的设置缓和了衬底和UBM之间在回流时内应力的变化，进而防止由于内应力变化过大而导致的铟凸点从浸润层上脱落的情况。所以本发明器件结构具有更高的稳定性，更长的使用寿命。

主权项

一种铟凸点器件结构，其特征在于，包括半导体衬底、焊盘、第一钝化层、第二钝化层、UBM金属层和铟凸点；UBM金属层包括从下到上依次设置的粘附层、阻挡层、缓冲层和浸润层；焊盘置于半导体衬底的表面，第一钝化层覆于半导体衬底及焊盘表面，且第一钝化层与焊盘重叠处设有第一开口，将焊盘表面由第一开口处暴露；粘附层覆于第一开口处暴露的焊盘表面上，且粘附层的周边部分位于第一钝化层表面上，使得粘附层与第一钝化层部分重叠；第二钝化层覆于第一钝化层表面及粘附层表面，且第二钝化层与粘附层重叠处设有第二开口，将粘附层由第二开口暴露；第二开口的截面宽度大于第一开口的截面宽度；阻挡层设于第二开口处暴露的粘附层表面上，缓冲层覆于阻挡层表面，浸润层覆于缓冲层表面，铟凸点覆于浸润层表面；并且，阻挡层、缓冲层和浸润层与第二钝化层均不相接触；阻挡层、缓冲层和浸润层的截面宽度均相同；粘附层的截面宽度大于阻挡层的截面宽度。