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[发明专利]一种Bi2S3量子点制备方法-CN201910530542.2有效
发明人：唐利斌;项金钟;古月;袁绶章;铁筱滢;魏虹;左大凡;王燕 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2019-06-19 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： C01G29/00 文献下载
摘要：Bi2S3量子点制备方法，涉及量子点的制备，尤其是一种合成步骤简单，合成时间短的Bi2S3量子点制备方法。本发明的Bi2S3量子点制备方法，其特征在于该制备方法包括：1）配制Bi3+、2）S2‑的先驱体溶液、3）得到最后的反应溶液、4）离心洗涤、5）量子点干燥表征。本发明的Bi2S3量子点制备方法，相对于传统制备量子点的方法，本发明所使用的方法药品使用量少，合成简单，装置简便，无污染，成本低廉，而且在制备过程中可以通过调整前提的浓度反应比例来实现Bi2S3量子点产量的控制。
一种 bi2s3 量子制备方法

[发明专利]铜掺杂多层石墨烯的制备方法-CN201810025878.9有效
发明人：唐利斌;姬荣斌;项金钟;高树雄;袁绶章;魏虹;铁筱滢;李雄军;左大凡;王燕;林占文;韩福忠 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2018-06-05 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：铜掺杂多层石墨烯的制备方法，涉及石墨烯，尤其是一种通过异质铜原子的掺杂，有效地调制多层石墨烯的结构和能级，从而提高多层石墨烯光电性质的铜掺杂多层石墨烯的制备方法。本发明以石墨靶材和铜靶材作为原材料，采用磁控溅射中直流和射频共同溅射，在碳基体中引入铜元素，使多层石墨烯的结构和能级得到有效改善；本发明采用廉价、易得、无毒的石墨靶材和铜靶材作为原材料，在碳基体中引入铜元素，多层石墨烯的结构和能级得到了有效的改善，电子跃迁模式更加多样化；其光电性质得到了有效的改变，可用于探测器、发光二极管、太阳能电池、超级电容器、锂离子电池、荧光材料等领域。
多层石墨烯能级铜掺杂制备光电性质石墨靶材碳基体铜靶材铜元素超级电容器发光二极管太阳能电池锂离子电池磁控溅射电子跃迁荧光材料石墨烯铜原子有效地引入探测器溅射可用射频异质调制掺杂无毒

[发明专利]一种红外偏振焦平面器件结构及其制备方法-CN201710529967.2有效
发明人：李东升;杨超伟;韩福忠;郭建华;王向前;姚志健;封远庆;左大凡;王琼芳;李京辉 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2019-10-08 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种红外偏振焦平面器件结构及其制备方法，该器件结构包括去除半导体衬底的红外焦平面器件和亚波长金属线栅；红外焦平面器件中，金属微柱分布在读出电路衬底正面的外围，形成了由具有一定中心距的金属微柱组成的矩形圈或方形圈；亚波长金属线栅中，金属线栅可以对中波红外和长波红外波段的光实现偏振，而且，金属线栅衬底正面的外围有一个由具有一定中心距的铟柱组成的矩形圈或方形圈，并和读出电路上的金属微柱组成的矩形圈或方形圈一一对应，铟柱之间的中心距和读出电路上的金属微柱之间的中心距相同；通过将带有铟柱的亚波长金属线栅和去除半导体衬底的红外焦平面器件进行倒装互连，使得读出电路上的金属微柱插入到亚波长金属线栅上的铟柱内，进而形成稳定结构的红外偏振焦平面器件。
一种红外偏振平面器件结构及其制备方法

[发明专利]半导体型硫掺杂石墨烯薄膜制备方法-CN201611190375.4有效
发明人：唐利斌;姬荣斌;项金钟;张倩;袁绶章;赵俊;孔金丞;郑云;魏虹;洪建堂;铁筱滢;左大凡;康蓉;王向前;王燕;韩福忠 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2019-06-21 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：半导体型硫掺杂石墨烯薄膜制备方法，涉及半导体型硫掺杂石墨烯薄膜的制备方法，尤其是使用廉价的乙二醇和硫酸为原料，使用工艺简单的液相化学反应法制成溶液然后旋涂再高温退火处理得到光电性能良好的半导体型硫掺杂石墨烯薄膜制备方法。本发明的半导体型硫掺杂石墨烯薄膜制备方法，其特征在于该制备方法采用乙二醇和硫酸按一定摩尔比反应生成后的溶液经旋涂退火后一次性生成硫掺杂石墨烯薄膜，包括液相化学反应、旋涂和退火三个步骤。本发明通过硫掺杂的方式，调制了石墨烯薄膜的能级，有效地改变了石墨烯薄膜的性能，从而使本发明制备得的硫掺杂石墨烯薄膜具有更优良的光电及发光调制性能，可用于光电探测器领域。
半导体掺杂石墨薄膜制备方法

[发明专利]溴掺杂石墨烯量子点液相剥离制备方法-CN201611190374.X有效
发明人：唐利斌;姬荣斌;项金钟;李尧;袁绶章;魏虹;陈雪梅;铁筱滢;左大凡;王燕;康蓉;韩福忠 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2017-02-07 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： C01B32/19 文献下载
摘要：溴掺杂石墨烯量子点液相剥离制备方法，涉及一种石墨烯量子点的制备方法；主要采用价格低廉的液体石蜡和三溴甲烷作为原料，使用超声液相剥离法制备溴掺杂石墨烯量子点的溴掺杂石墨烯量子点液相剥离制备方法。本发明的溴掺杂石墨烯量子点液相剥离制备方法，其特征在于该制备方法包括火焰法和超声液相剥离两个步骤。本发明对设备及反应条件要求不高，且制备的量子点表面含有较多的含氧官能团，易溶于水也能溶于多种有机溶剂。溴掺杂石墨烯量子点增加了含溴官能团，对量子点进行了表面修饰，形成了n型掺杂体系；打开了石墨烯的零带隙结构，增加了额外的溴原子能级，使外层电子跃迁具有了不同的方式，有效地改变了石墨烯量子点的光电性能。
掺杂石墨量子点液相剥离制备方法

[发明专利]钠掺杂多层石墨烯制备方法-CN201611190372.0有效
发明人：唐利斌;姬荣斌;项金钟;古月;袁绶章;魏虹;陈雪梅;铁筱滢;左大凡;王燕;康蓉;韩福忠 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2016-12-21 - 公布日： 2018-11-30 - 主分类号： C01B32/184 文献下载
摘要：钠掺杂多层石墨烯制备方法,涉及石墨烯制备，尤其是一种合成步骤简单，无需转移的钠掺杂多层石墨烯制备方法。本发明的钠掺杂多层石墨烯制备方法，其特征在于该制备方法包括：1）制备得到中间体、2）得到旋涂液、3）制作石英片、4）得到石墨烯薄膜。本发明的钠掺杂多层石墨烯制备方法，相对于传统制备石墨烯的方法，本发明所使用的方法药品使用量少，合成办法简单，装置简便，无污染，绿色环保，成本低廉,而且在制备过程中可以通过控制中间体的浓度、转速来控制石墨烯薄膜的厚度、面积，操作过程更容易控制石墨烯薄膜的质量。
掺杂多层石墨制备方法

[发明专利]一种铟凸点器件结构及其制备方法-CN201610316689.8在审
发明人：杨超伟;李京辉;韩福忠;王琼芳;封远庆;左大凡;杨毕春;周连军;吴圣娟 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2016-05-12 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L31/09 文献下载
摘要：本发明涉及一种铟凸点器件结构及其制备方法，属于铟凸点器件制备技术领域。该器件结构包含半导体衬底、焊盘、第一钝化层、第二钝化层、UBM金属层和铟凸点；UBM金属层包括粘附层、阻挡层、缓冲层和浸润层；在该器件结构中，粘附层覆盖了部分第一钝化层，第二钝化层又覆盖了部分粘附层，这种堆叠结构提供了较高的结构强度，当器件受到热冲击时，可防止由于热应力而导致的铟凸点和UBM组成的结构沿着粘附层和第一钝化层界面而脱落的情况。此外，缓冲层的设置缓和了衬底和UBM之间在回流时内应力的变化，进而防止由于内应力变化过大而导致的铟凸点从浸润层上脱落的情况。所以本发明器件结构具有更高的稳定性，更长的使用寿命。
一种铟凸点器件结构及其制备方法

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