[发明专利]水平全环栅和FinFET器件隔离有效
| 申请号： | 201610309125.1 | 申请日： | 2016-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN106158722B | 公开（公告）日： | 2021-02-26 |
| 发明（设计）人： | S·孙;N·吉田;T·K·加里尼;S·W·君;V·皮纳;E·A·C·桑切斯;B·哥伦毕尤;M·出德齐克;B·伍德;N·金 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 黄嵩泉 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本申请公开了水平全环栅和FinFET器件隔离。本文中所述的实施例总体涉及用于水平全环栅(hGAA)隔离和鳍式场效应晶体管(FinFET)隔离的方法和装置。可在基板上形成包括按交替式堆叠形成来布置的不同材料的超晶格结构。在一个实施例中，可氧化超晶格结构的层中的至少一层以形成邻接基板的埋入式氧化物层。 | ||
| 搜索关键词： | 水平 全环栅 finfet 器件 隔离 | ||
【主权项】：
一种形成半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在基板上形成超晶格结构，其中所述超晶格结构包括：第一材料层；第二材料层；以及第三材料层；图案化所述超晶格结构；蚀刻所述超晶格结构和所述基板；执行衬层沉积工艺以在所述超晶格结构上形成衬层；执行浅沟槽隔离工艺以在所述基板上沉积氧化物材料层；以及执行退火工艺以氧化所述第一材料层、所述第二材料层或所述第三材料层中的至少一者，从而形成埋入式氧化物层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
