[发明专利]一种真空雾化等离子改性制备硅微粉的方法在审

专利信息
申请号: 201610301991.6 申请日: 2016-05-09
公开(公告)号: CN105776226A 公开(公告)日: 2016-07-20
发明(设计)人: 郭迎庆;盛海丰;高玉刚 申请(专利权)人: 郭迎庆
主分类号: C01B33/12 分类号: C01B33/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 213164 江苏省常*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明公开了一种真空雾化等离子改性制备硅微粉的方法,属于硅微粉制备技术领域。本发明将无水乙醇、石英砂混合球磨,过筛后经预热处理、保温熔融、雾化制得二氧化硅微粉,与吡咯单体混合进行等离子处理后,再与丙酮混合,经抽滤得滤饼,洗涤、干燥制得硅微粉。本发明的有益效果是:本发明制备步骤简单,利用真空雾化等离子改性制备硅微粉针对性强,制备过程能耗低,生产周期短;所得产品改性效果提高20~26%,改性剂在粉体表面吸附牢固,颗粒分散均匀。
搜索关键词: 一种 真空 雾化 等离子 改性 制备 硅微粉 方法
【主权项】:
一种真空雾化等离子改性制备硅微粉的方法,其特征在于具体制备步骤为:(1)按质量比1:8,将无水乙醇与石英砂置于球磨罐中,在250~300r/min下球磨3~4h,待球磨完成后,过筛制备得120~140目石英砂粉末,随后将石英砂粉末置于石墨坩埚中,再将石墨坩埚置于真空感应炉中,抽真空至1~2Pa后,在120~350℃下预热处理15~20min;(2)待预热完成后,对真空感应炉通氩气排除空气,随后按10℃/min速率程序升温至1650~1700℃,待升温完成后,继续保温熔融25~30min,随后在氩气压力1.5~1.8MPa下雾化制粉,控制导流管直径为8~10mm,雾化温度为1600~1800℃,待雾化完成后,静置冷却并收集二氧化硅微粉;(3)按质量比1:5,将吡咯单体与二氧化硅微粉搅拌混合,制备得混合粉末,随后将混合粉末置于等离子表面处理仪中,对等离子表面处理仪通氩气排除空气,在氩气气氛下,抽真空至25~30Pa,再在10~15kV下放电处理10~15min;(4)待放电处理完成后,关闭真空泵并通入大气至等离子表面处理仪中,收集等离子处理硅微粉,按质量比1:5,将等离子处理硅微粉与丙酮搅拌混合,待搅拌混合10~15min后,对其抽滤并收集滤饼,用无水乙醇和去离子水各洗涤3~5次后,再在65~80℃下干燥6~8h,随后碾磨即可制备得一种硅微粉。
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