[发明专利]等离子体蚀刻装置有效
| 申请号： | 201610290762.9 | 申请日： | 2016-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN106169408B | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 渡边义雄;S·米兰;高桥宏行;关刚史 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01J37/32 | 分类号： | H01J37/32 |
| 代理公司： | 11127 北京三友知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李辉;金玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种等离子体蚀刻装置，其能够对被加工物的一部分选择性进行加工。等离子体蚀刻装置(2)包括：真空腔(4)；能够旋转的静电卡盘台(34)，其在真空腔内保持被加工物(11)；喷嘴(50)，其对被保持于静电卡盘台上的被加工物的一部分供给等离子体蚀刻气体(C)；喷嘴摆动单元(86)，其使喷嘴在静电卡盘台的对应于中心(A)的区域与对应于外周的区域之间以描绘水平圆弧状的轨迹(B)的方式进行摆动；以及控制单元(48、88)，它们分别控制静电卡盘台的旋转量和喷嘴的位置，在与保持于静电卡盘台上的被加工物的任意的一部分对应的区域定位喷嘴。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 蚀刻 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体蚀刻装置，其特征在于，具有：/n真空腔；/n能够旋转的静电卡盘台，其在该真空腔的内部保持被加工物；/n喷嘴，其向保持于该静电卡盘台上的该被加工物的一部分供给等离子体蚀刻气体；/n喷嘴摆动单元，其使该喷嘴在该静电卡盘台的对应于中心的区域与对应于外周的区域之间以描绘水平的圆弧状轨迹的方式进行摆动；以及/n控制单元，其分别控制该静电卡盘台的旋转量和该喷嘴的位置，在与保持于该静电卡盘台上的该被加工物的任意一部分对应的区域定位该喷嘴，/n所述水平的圆弧状轨迹的一端处于该静电卡盘台的对应于中心的区域，另一端处于该静电卡盘台的对应于外周的区域，/n所述控制单元将所述静电卡盘台的旋转动作和所述喷嘴的旋转动作组合起来对所述静电卡盘台与所述喷嘴之间的位置关系进行控制。/n
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