[发明专利]用于防止热积累的保护膜和具有其的极紫外线光刻装置有效
| 申请号： | 201610290516.3 | 申请日： | 2016-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN106154766B | 公开（公告）日： | 2019-12-17 |
| 发明（设计）人： | 全桓彻;金文子;权星元;金炳局;R.查利克;郑镛席;崔在爀 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 屈玉华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种用于包括极紫外线(EUV)光刻的光刻工艺的保护膜可以减轻在保护膜的隔膜中的热积累。保护膜包括隔膜和在隔膜的至少一个表面上的至少一个热缓冲层。热缓冲层的发射率可以大于隔膜的发射率。热缓冲层的碳含量可以大于隔膜的碳含量。多个热缓冲层可以在隔膜的分开的表面上，热缓冲层可具有不同的性能。盖层可以在至少一个热缓冲层上，盖层可以包括抗氢材料。热缓冲层可以在隔膜的表面的某些部分或全部之上延伸。热缓冲层可以在至少两个隔膜之间。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 防止 积累 保护膜 具有 紫外线 光刻 装置 | ||
【主权项】：
1.一种保护膜，包括：/n隔膜，在光掩模的光学图案上；和/n在所述隔膜的第一表面上的第一热缓冲层，所述第一热缓冲层具有第一发射率，该第一发射率大于所述隔膜的发射率，/n其中所述保护膜配置为在极紫外线光刻中位于所述光掩模上，使得极紫外线光穿过所述第一热缓冲层和所述隔膜以从所述光掩模中的所述光学图案反射，基于穿过所述隔膜的所述极紫外线光而在所述隔膜处产生热，基于所述第一发射率大于所述隔膜的发射率，所述第一热缓冲层将在所述隔膜处产生的热排出到外部环境。/n
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