[发明专利]一种非对称磁性随机存储器及其磁性记忆单元读取方法有效
| 申请号： | 201610284020.5 | 申请日： | 2016-04-29 |
| 公开（公告）号： | CN107342104B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 俞华樑;陈峻;郭一民 | 申请（专利权）人： | 上海磁宇信息科技有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16 |
| 代理公司： | 上海容慧专利代理事务所(普通合伙) 31287 | 代理人： | 于晓菁 |
| 地址： | 201800 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种非对称磁性随机存储器，包括多个磁性记忆单元构成的阵列，磁性记忆单元包括非对称磁性隧道结，非对称磁性隧道结的低阻态到高阻态的转换电流的绝对值小于高阻态到低阻态的转换电流的绝对值，非对称磁性随机存储器还包括自参照读取模块，自参照读取模块用于根据磁性记忆单元的非对称磁性隧道结改变为高阻态的状态电压，利用非对称性读取磁性记忆单元的逻辑状态。本发明还提供一种非对称磁性随机存储器的磁性记忆单元读取方法。本发明提供的非对称磁性随机存储器及其磁性记忆单元读取方法,利用非对称磁性隧道结的磁电阻偏压依赖性，能够低能耗且更准确获取非对称磁性隧道结的状态，实现自参照的数据读取，解决了读取数据对参考电阻的标准差分布要求苛刻的而导致读取错误率高的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 对称 磁性 随机 存储器 及其 记忆 单元 读取 方法 | ||
【主权项】：
一种非对称磁性随机存储器，包括多个磁性记忆单元构成的阵列，其特征在于，所述磁性记忆单元包括非对称磁性隧道结，所述非对称磁性隧道结的低阻态到高阻态的转换电流的绝对值小于高阻态到低阻态的转换电流的绝对值，非对称磁性随机存储器还包括自参照读取模块，所述自参照读取模块用于根据非对称磁性隧道结改变为高阻态的状态电压，利用非对称性读取所述磁性记忆单元的逻辑状态。
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