[发明专利]一种紫外发光二极管外延结构及其制备方法有效
| 申请号： | 201610239649.8 | 申请日： | 2016-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN105762240B | 公开（公告）日： | 2018-10-16 |
| 发明（设计）人： | 陈圣昌;邓和清;卓昌正;徐宸科 | 申请（专利权）人： | 厦门市三安光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 361009 福建省厦*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种紫外发光二极管外延结构及其制备方法，包括：提供一衬底；先生长高温AlN层；然后生长低温AlN层；再生长高温AlN层；生长n型AlGaN层；生长有源层；生长p型AlGaN层。由于低温AlN层是三维小岛而不是二维薄膜，再继续生长高温AlN层，三维小岛会慢慢长大并相互吞并，在岛与岛吞并过程中，下层AlN层延伸上来的位错会被弯曲，从而增加位错相互湮灭的几率，提高上层AlN层的晶体质量，提升外延结构层材料的整体结晶质量，提升紫外LED的发光亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 紫外 发光二极管 外延 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种紫外发光二极管外延结构的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）提供一衬底；（2）先生长厚度为0.5~3μm的高温AlN层；（3）然后生长厚度为0.3~2μm的低温AlN层；（4）再生长厚度为0.5~3μm的高温AlN层；（5）生长n型AlGaN层；（6）生长有源层；（7）生长p型AlGaN层；其中所述步骤（2）和（4）的高温AlN层的厚度均大于所述步骤（3）的低温AlN层的厚度。
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