[发明专利]一种提高硅酸铋闪烁晶体近紫外波段透过率的方法有效
| 申请号： | 201610210944.0 | 申请日： | 2016-04-06 |
| 公开（公告）号： | CN107268086B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 熊巍;周尧;陈良;袁晖 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C30B33/02 | 分类号： | C30B33/02;C30B29/34 |
| 代理公司： | 上海瀚桥专利代理事务所(普通合伙) 31261 | 代理人： | 曹芳玲;郑优丽 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种提高硅酸铋闪烁晶体近紫外波段透过率的方法，所述方法包括将硅酸铋闪烁晶体在高纯氮气气氛中于600～800℃进行热处理6～20小时以使硅酸铋闪烁晶体中的氧杂质扩散出来从而提高硅酸铋闪烁晶体在近紫外波段透过率。本发明通过在特定的气氛、温度条件下对硅酸铋晶体进行高纯氮气气氛下高温热处理，提高晶体近紫外波段（300～400nm）的透过率，从而更易于切伦科夫光和闪烁光的分离，更加有利于硅酸铋晶体在双读出量能器领域的应用。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 硅酸 闪烁 晶体 紫外 波段 透过 方法 | ||
【主权项】：
1.一种提高硅酸铋闪烁晶体近紫外波段透过率的方法，其特征在于，所述方法包括将硅酸铋闪烁晶体在高纯氮气气氛中于600～800℃进行热处理6～20小时以使硅酸铋闪烁晶体中的氧杂质扩散出来从而提高硅酸铋闪烁晶体在近紫外波段透过率。
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