[发明专利]一种低温气相沉积固态扩散源制备用于太阳电池的掺杂硅的方法

摘要

一种低温气相沉积固态扩散源制备用于太阳电池的掺杂硅的方法，主要步骤是以低温化学气相沉积或物理气相沉积的方法在硅片表面制备一层掺杂原子浓度精确可控的氧化硅薄膜作为扩散源，在空气气氛中进行高温扩散，最后以HF去除残留的扩散源。可得到方阻在60-600Ω/□内精确可控的n型和p型扩散硅层，且方阻在硅片表面的分布均匀性优于太阳电池产业现行扩散技术所得产品。可进一步扩展扩散技术在太阳电池领域的应用范围，提高太阳电池的性能。

主权项

一种低温气相沉积固态扩散源制备用于太阳电池的掺杂硅的方法，其特征是以低温气相沉积的方法在硅片表面沉积掺杂氧化硅作为扩散源层，沉积扩散源层的厚度为10‑200纳米。