[发明专利]键合加热控制装置及其方法有效
申请号: | 201610200573.8 | 申请日: | 2016-03-31 |
公开(公告)号: | CN107293504B | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 罗晋;商飞祥 | 申请(专利权)人: | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/60 |
代理公司: | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李时云 |
地址: | 201203 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种键合加热控制装置及其方法,其装置包括加热控制器以及两个加热装置与两个加热驱动装置;加热装置用于对硅片或玻璃片进行加热加压,加热装置中设置有加热器及至少两个温度传感器;加热控制器用于实现对两个加热装置中各温度传感器的测量,输出加热器的PWM开度;加热驱动装置根据所述加热控制器输出的PWM开度,驱动加热器工作;两个加热装置同时工作而又相互独立,节省了加热时间,提高了加热效率,并且在加热盘的上下两侧分别设置石墨片,使得温度均匀传播,同时将加热过程分为三个阶段,通过速率加热阶段的快速加热,缩短加热时间,提高产率;并且实现加热速率阶段功率可调,为键合工艺提供了更多工艺参数。 | ||
搜索关键词: | 加热 控制 装置 及其 方法 | ||
【主权项】:
一种键合加热控制装置,其特征在于,包括加热控制器以及两个加热装置与两个加热驱动装置;所述加热装置用于对硅片或玻璃片进行加热加压,所述加热装置中设置有加热器及至少两个温度传感器;所述加热控制器用于实现对所述两个加热装置中各温度传感器的测量,分别输出加热器的PWM开度;所述加热驱动装置根据所述加热控制器输出的PWM开度,驱动所述加热器工作。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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