[发明专利]一种窄带隙的Sb2S3半导体薄膜的水热制备方法

摘要

本发明涉及一种窄带隙的Sb2S3半导体薄膜的水热制备方法，溶液中含有摩尔比为10（9‑80）的酒石酸锑钾和硫代硫酸钠，溶液的pH值介于4‑4.5之间，溶液经搅拌超声后用水热法在ITO玻璃基底上直接制备出了附着力良好的Sb2S3薄膜，然后在惰性气氛保护条件下于250ºC‑550ºC下恒温，得到窄带隙Sb2S3半导体薄膜。本发明提供的方法中新型镀液对环境友好，直接在ITO玻璃基底上制备出来了Sb2S3半导体薄膜，并且其带隙较窄，适合作为薄膜太阳能电池的吸收层材料。

主权项

一种窄带隙Sb2S3半导体薄膜的水热制备方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）配制溶液：在溶液中加入硫源和锑源，其中Sb3+和S2O32‑的摩尔比为10：（9‑80）的，溶液的pH值介于4‑4.5之间；（2）在步骤（1）配制好的溶液经搅拌超声后，用水热法在ITO玻璃基底上直接制备Sb2S3半导体薄膜，水热温度控制在120‑210 °C，水热时间控制在1‑12 h；（3）将步骤（2）制备出的Sb2S3薄膜，置于惰性气氛保护条件下，于250‑550 °C下恒温退火；步骤（1）所述的锑源为酒石酸锑钾，所述硫源为硫代硫酸钠；步骤（3）所得Sb2S3薄膜的带隙在1.63‑1.73 eV之间。