[发明专利]一种半导体探测器在审
| 申请号： | 201610187826.2 | 申请日： | 2013-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN105676264A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 李元景;张岚;李玉兰;刘以农;傅楗强;江灏;邓智;薛涛;张韡;李军 | 申请（专利权）人： | 清华大学;同方威视技术股份有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/36 | 分类号： | G01T1/36 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100084 北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体探测器，该半导体探测器包括半导体晶体、阴极、阳极和至少一个阶梯电极；所述半导体晶体包括顶面、底面和至少一个侧面；所述阴极、所述阳极和所述阶梯电极都为沉积于所述半导体晶体表面的导电薄膜；所述阴极设于所述半导体晶体的所述底面上，所述阳极设于所述半导体晶体的所述顶面上，所述阶梯电极设于所述半导体晶体的至少一个侧面上；所述阶梯电极包括多个子电极。与现有技术相比，所述半导体探测器能够提高能量分辨率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 探测器 | ||
【主权项】：
一种半导体探测器，其特征在于，该半导体探测器包括半导体晶体、阴极、阳极和至少一个阶梯电极；所述半导体晶体包括顶面、底面和至少一个侧面；所述阴极、所述阳极和所述阶梯电极都为沉积于所述半导体晶体表面的导电薄膜；所述阴极设于所述半导体晶体的所述底面上，所述阳极设于所述半导体晶体的所述顶面上，所述阶梯电极设于所述半导体晶体的至少一个侧面上；所述阶梯电极包括多个子电极；所述半导体晶体的剖面呈扇形，所述底面为弧形面，所述顶面为长方形，所述阳极设于所述顶面上且覆盖所述顶面的全部区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于清华大学;同方威视技术股份有限公司，未经清华大学;同方威视技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610187826.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
