[发明专利]发光二极管及其制备方法有效
| 申请号： | 201610183938.0 | 申请日： | 2016-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN105679897B | 公开（公告）日： | 2018-01-19 |
| 发明（设计）人： | 黄文宾;林兓兓;张家宏 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，尤其涉及一种发光二极管及其制备方法，至少包括N型层、有源层、及位于有源层之上的低温P型GaN层和P型接触层，在低温P型GaN层和P型接触层之间插入一非P型氮化物层，取代高温P型GaN层，减小高温生长对量子阱的晶格质量的破坏及吸光性能，非P型氮化物层中高浓度二维电子气增加了电流的横向扩展能力，改善电流拥堵引起的器件局部过热易击穿特征，提升LED器件的抗静电能力。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种发光二极管，至少包括：N型层、有源层、及位于有源层之上的低温P型GaN层和P型接触层，其特征在于：于所述低温P型GaN层和P型接触层之间插入一非P型氮化物层，所述非P型氮化物层包括u型氮化物层和n型氮化物层，所述u型氮化物层包括第一u型氮化物层和能带高于所述第一u型氮化物层的第二u型氮化物层，所述第一u型氮化物层与第二u型氮化物层的界面处形成二维电子气，所述n型氮化物层提高所述二维电子气浓度。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽三安光电有限公司，未经安徽三安光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610183938.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种贴片式红外发射管
- 下一篇：一种铜铟硫基薄膜太阳能电池的制备方法
