[发明专利]一种SRAM型FPGA单粒子软错误与电路失效率关系快速测定方法有效
申请号: | 201610183678.7 | 申请日: | 2016-03-28 |
公开(公告)号: | CN105869679B | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 于登云;贾晓宇;蔡震波;张庆祥;李衍存;王颖;秦珊珊;郑玉展 | 申请(专利权)人: | 北京空间飞行器总体设计部 |
主分类号: | G11C29/10 | 分类号: | G11C29/10;G11C29/56 |
代理公司: | 中国航天科技专利中心 11009 | 代理人: | 范晓毅 |
地址: | 100094 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明涉及一种SRAM型FPGA单粒子软错误与电路失效率关系快速测定方法,步骤如下:(1)选定初始向配置区注入的翻转位数N;(2)随机选择FPGA配置区N位进行故障注入,运行FPGA,记录FPGA输出是否出现错误;(3)重复第(2)k次,直到失效率在30%到70%;(4)根据实际条件,按照最终选定的N,进行尽量多次的故障注入,获得较好的统计性,推荐注入以N位随机翻转的故障注入试验次数不的小于30次;(5)最终得到注入N位随机故障后电路失效率为λN,然后用1‑(1‑λN)M/N估计电路的失效率上限,得到电路设计的SEU数目M‑电路失效率λM评估结果。采用本发明的方法通过次数很少的故障注入,即可对FPGA电路设计抗SEU性能作出有效评价,大大减少了实验的次数和评估的周期。 | ||
搜索关键词: | 一种 sram fpga 粒子 错误 电路 失效 关系 快速 测定 方法 | ||
【主权项】:
1.一种SRAM型FPGA单粒子软错误与电路失效率关系快速测定方法,其特征在于包括如下步骤:(1)选定初始向FPGA配置区注入的翻转位数为N位,N为正整数;(2)随机选择FPGA配置区中的N位进行故障注入,运行FPGA,记录FPGA输出是否出现错误;(3)重复步骤(2)k次,计算FPGA的电路失效率λN;如果电路失效率λN小于30%,则增大翻转位数N,返回步骤(2);如果电路失效率λN超过70%,则减小翻转位数N,返回步骤(2);如果失效率λN在30%到70%,则固定N值,进入步骤(4);k为正整数;(4)按照固定的N值,进行n次的故障注入,记录FPGA输出是否出现错误;n为正整数;(5)计算注入N位随机故障后电路失效率λN,然后计算1‑(1‑λN)M/N,作为翻转位数M时电路失效率λM的上限,其中M
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