[发明专利]应用于动态电压调整系统的抗辐照双互锁存型存储单元

摘要

本发明公开一种应用于动态电压调整系统的抗辐照双互锁存型存储单元，在原有DICE单元基础上增加读取管MN9以及控制MN9导通的读字线和与灵敏放大器相连的读位线；通过这样的改动，使读字线开启时有且仅有一位存储节点因位线分压受到扰动；同时，利用DICE单元“双节点反馈”的结构特性，对单一节点的扰动会在扰动源消失后自行恢复，不会对存储单元所存储的数据造成影响，从而消除了“读破坏”现象的发生。本发明DICE单元将原本由同一根位线连接的两个同相位节点的结构改为由读位线连接一位存储节点的结构，解决了当字线开启时由位线分压造成的两个同相位节点同时翻转的问题，在保证数据正常读出的同时，提高了存储单元在亚阈值工作时的鲁棒性。

主权项

1.应用于动态电压调整系统的抗辐照双互锁存型存储单元，其特征在于，包括：包括写字线、读字线、写位线、写位线非、读位线、PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4、NMOS管MN5、NMOS管MN6、NMOS管MN7、NMOS管MN8和NMOS管MN9；PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3和PMOS管MP4的源极接电源；PMOS管MP1、PMOS管MP2、PMOS管MP3和PMOS管MP4的漏极分别接节点X0、X1、X2、X3；PMOS管MP2、PMOS管MP3、PMOS管MP4和PMOS管MP1的栅极分别接节点X0、X1、X2、X3；NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4的漏极分别接节点X0、X1、X2、X3；NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3、NMOS管MN4的源极接地；NMOS管MN4、NMOS管MN1、NMOS管MN2、NMOS管MN3的栅极分别接节点X0、X1、X2、X3；NMOS管MN5的栅极接写字线，漏极和源极中一个接写位线，另一个接节点X0；NMOS管MN6的栅极接写字线，漏极和源极中一个接写位线，另一个接节点X2；NMOS管MN7的栅极接写字线，漏极和源极中一个接写位线非，另一个接节点X3；NMOS管MN8的栅极接写字线，漏极和源极中一个接写位线非，另一个接节点X1；NMOS管MN9的栅极接读字线，漏极和源极中一个接读位线，另一个接节点X1。