[发明专利]短沟道NFET装置有效
| 申请号： | 201610178035.3 | 申请日： | 2016-03-25 |
| 公开（公告）号： | CN106024600B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | C·D·源;K·亨佩尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/265 | 分类号： | H01L21/265;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及短沟道NFET装置，具体提供一种形成半导体装置的方法，其包括以相对于垂直于半导体层的表面的方向的有限倾斜角度，在该半导体层中共布植光晕物种及碳。另外，提供一种半导体装置，其包括N沟道晶体管，该N沟道晶体管包含由光晕物种所制成的光晕区，该光晕区于半导体层中形成有掺质分布，该半导体装置还包括碳物种，该碳物种于该半导体层中布植成与该光晕区具有实质相同的掺质分布。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道 nfet 装置 | ||
【主权项】：
1.一种形成半导体装置的方法，该方法包含：在半导体层的上表面上方形成栅极电极结构；在该半导体层的上方形成衬垫层，该衬垫层包覆该栅极电极结构及该半导体层的该上表面；在倾斜布植程序期间，以相对于垂直于该半导体层的该上表面的方向且具有大于零度的布植倾斜角度，在该半导体层中共布植光晕物种及碳，其中，在该倾斜布植程序期间，该光晕物种的布植密度小于共布植的该碳的布植密度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
