[发明专利]一种基于自偏置结构的参考电流源电路在审
| 申请号： | 201610151686.3 | 申请日： | 2016-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN105824345A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 李现坤;潘福跃;张勇;宣志斌;肖培磊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十八研究所 |
| 主分类号： | G05F1/565 | 分类号： | G05F1/565 |
| 代理公司： | 总装工程兵科研一所专利服务中心 32002 | 代理人： | 杨立秋 |
| 地址： | 214035 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种基于自偏置结构的参考电流源电路。参考电流源电路包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管以及约束电路。所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极与电源端相连，所述第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极相连，所述第一PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极相连，所述第二PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极相连，所述第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极相连，所述第二PMOS管的栅极和漏极连通，所述第一NMOS管的栅极与漏极连通，所述第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极分别与约束电路相连，所述约束电路能够使所述的参考电流源电路的参考源电流与温度成比例或能够消除温度对参考源电流的影响。通过约束电路的设置使参考源电流变得可控，使参考电流源电路能够输出稳定、理想的参考源电流，不受工艺参数的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 偏置 结构 参考 电流 电路 | ||
【主权项】：
一种基于自偏置结构的参考电流源电路，其特征在于：包括第一PMOS管、第二PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管以及约束电路，所述第一PMOS管和第二PMOS管的源极与电源端相连，所述第一PMOS管的栅极和第二PMOS管的栅极相连，所述第一PMOS管的漏极与第一NMOS管的漏极相连，所述第二PMOS管的漏极与第二NMOS管的漏极相连，所述第一NMOS管的栅极和第二NMOS管的栅极相连，所述第二PMOS管的栅极和漏极连通，所述第一NMOS管的栅极与漏极连通，所述第一NMOS管的源极和第二NMOS管的源极分别与约束电路相连，所述约束电路能够使所述的参考电流源电路的参考源电流与温度成比例或能够消除温度对参考源电流的影响。
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