[发明专利]FFS模式的阵列基板及制作方法

摘要

本发明提供一种FFS模式的阵列基板及制作方法，该FFS模式的阵列基板包括基层，该基层设置有栅极以及沟道半导体层；第二绝缘层，其沉积于所述基层上，该第二绝缘层上形成有将该沟道半导体层露出的第一过孔以及第二过孔；像素电极层，其沉积于所述第二绝缘层上，所述像素电极层上设置有像素电极；源极以及漏极，该源极以及漏极设置于所述像素电极层之上；第三绝缘层，其设置于源极、漏极、像素电极以及第二绝缘层上。本发明具有缩短工艺流程、减少光罩次数的有益效果。

主权项

1.一种FFS模式的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：形成一基层，该基层设置有栅极以及沟道半导体层；在基层上沉积第二绝缘层，在第二绝缘层上形成将该沟道半导体层露出的第一过孔以及第二过孔；在第二绝缘层上沉积像素电极层，该像素电极层设置有多个像素电极区域，以及位于相邻两个像素电极区域之间的第一间隔区域；在像素电极层上沉积第一金属层，该第一金属层设置有源极区域、漏极区域，以及位于源极区域和漏极区域之间的第二间隔区域；在第一金属层上涂布第一光阻层，将第一光阻层上与第一间隔区域和第二间隔区域正对区域的光阻去除；对第一金属层和像素电极层进行刻蚀，以在第一金属层的源极区域和漏极区域分别形成源极和漏极，在像素电极层的像素电极区域形成像素电极；去除第一光阻层，并除去位于像素电极上的第一金属层；在源极、漏极、像素电极以及第二绝缘层上沉积第三绝缘层；其中所述形成一基层的步骤包括：在玻璃基板上依次沉积公共电极层以及第二金属层，第二金属层设有栅极区域，公共电极层设有公共电极区域、TFT区域以及位于公共电极区域与TFT区域之间的第四间隔区域；在第二金属层上涂布第三光阻层，将第三光阻层上与第四间隔区域正对区域的光阻除去；对第二金属层以及公共电极层进行刻蚀，以在该公共电极层的公共电极区域形成公共电极，在第二金属层的栅极区域形成栅极；将公共电极上的第三光阻层以及第二金属层依次除去，将栅极上的第三光阻层除去；在公共电极、栅极以及玻璃基板上沉积第一绝缘层，在该第一绝缘层上形成所述沟道半导体层；其中所述第二绝缘层沉积于所述沟道半导体层以及第一绝缘层之上。