[发明专利]一种沟槽IGBT器件的制造方法

摘要

一种沟槽IGBT器件的制造方法，该制造方法包括：首先在N型外延硅衬底或者区熔片上光刻注入N型杂质并扩散形成有一定参杂浓度和厚度的电荷贮存区，继续生长P型外延形成顶层MOS结构的沟道区；然后光刻刻蚀沟槽，生长栅极氧化层，淀积多晶硅材料填充沟槽；光刻刻蚀多晶硅形成顶层MOS结构的栅极；光刻N型源区注入N型杂质，然后淀积氧化层或者氮化硅等绝缘材料并退火致密，光刻接触孔，刻蚀绝缘层裸露出之前形成的所有元胞的P阱区和N型源区硅表面；注入P型杂质并激活，确保P阱区与顶层金属的欧姆接触；溅射顶层金属，光刻刻蚀顶层金属，淀积钝化层，光刻刻蚀钝化层，最后合金完成顶层结构的制作；然后淀积背面金属完成IGBT器件的制作。

主权项

一种沟槽IGBT器件的制造方法，其特征在于该制造方法包括：首先在N型外延硅衬底或者区熔片上光刻注入N型杂质并扩散形成有一定参杂浓度和厚度的电荷贮存区，继续生长P型外延形成顶层MOS结构的沟道区；然后光刻刻蚀沟槽，生长栅极氧化层，淀积多晶硅材料填充沟槽；光刻刻蚀多晶硅形成顶层MOS结构的栅极；光刻N型源区注入N型杂质，然后淀积氧化层或者氮化硅等绝缘材料并退火致密，光刻接触孔，刻蚀绝缘层裸露出之前形成的所有元胞的P阱区和N型源区硅表面；注入P型杂质并激活，确保P阱区与顶层金属的欧姆接触；溅射顶层金属，光刻刻蚀顶层金属，淀积钝化层，光刻刻蚀钝化层，最后合金完成顶层结构的制作；然后硅片背面减薄到特定的厚度，背面注入P型或者注入N型以及P型杂质，通过低温退火或者激光退火形成IGBT集电区或者带有场终止层次的FS‑IGBT，然后通过溅射或者蒸发的方法淀积背面金属完成整个IGBT器件的制作过程。