[发明专利]应用于热辅助磁记录技术的磁存储介质薄膜的制备方法在审
| 申请号： | 201610121107.0 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN105810216A | 公开（公告）日： | 2016-07-27 |
| 发明（设计）人： | 朱京希;李嘉 | 申请（专利权）人： | 广东顺德中山大学卡内基梅隆大学国际联合研究院;中山大学 |
| 主分类号： | G11B5/851 | 分类号： | G11B5/851;G11B5/64 |
| 代理公司： | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人： | 林丽明 |
| 地址： | 528300 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供一种应用于热辅助磁记录技术的磁存储介质薄膜的制备方法，至少包括以下步骤：1）在基底表面沉积一层氧化镁衬底层薄膜；2）对氧化镁衬底层薄膜上的晶界通过预处理形成异于晶粒内部的非平整的沟壑形貌；3）在具有非平整的沟壑形貌晶界的氧化镁衬底层上沉积由磁性金属FePt和非金属晶间间隔层组成的复合薄膜。本发明能够解决在氧化镁基底层对上的晶界对FePt外延生长的不利影响，获得具有理想尺寸和磁性质的热辅助磁记录介质薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 应用于 辅助 记录 技术 存储 介质 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种应用于热辅助磁记录技术的磁存储介质薄膜的制备方法，其特征在于，制备方法至少包括以下步骤：1）在基底表面沉积一层氧化镁衬底层薄膜；2）对氧化镁衬底层薄膜上的晶界进行预处理形成异于晶粒内部的沟壑形貌；3）在具有非平整沟壑形貌晶界的氧化镁衬底层上沉积由磁性金属FePt和非金属晶间间隔层组成的复合材料薄膜，制备得到磁存储介质薄膜。
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