[发明专利]电极的制造方法及电阻式随机存取内存有效
| 申请号： | 201610121062.7 | 申请日： | 2016-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN107154457B | 公开（公告）日： | 2019-12-10 |
| 发明（设计）人： | 陈义中;彭徵安;张硕哲;温松颖 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 11205 北京同立钧成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 中国台湾;TW |
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| 摘要： | 本发明提供一种电极的制造方法及电阻式随机存取内存。其中电极的制造方法包括下列步骤。在基材上形成导体层。使用射频物理气相沉积法在导体层上形成射频物理气相沉积过渡金属化合物层。在射频物理气相沉积过渡金属化合物层上形成牺牲层。进行平坦化制程，以移除牺牲层与部分射频物理气相沉积过渡金属化合物层。本发明可形成表面平坦、细致且具有足够厚度的射频物理气相沉积过渡金属化合物层，进而可提升组件的电性表现。 | ||
| 搜索关键词： | 电极 制造 方法 电阻 随机存取 内存 | ||
【主权项】：
1.一种电极的制造方法，其特征在于，包括：/n在基材上形成导体层；/n使用射频物理气相沉积法在所述导体层上形成射频物理气相沉积过渡金属化合物层；/n在所述射频物理气相沉积过渡金属化合物层上形成牺牲层，其中所述牺牲层完全覆盖并物理接触所述射频物理气相沉积过渡金属化合物层；以及/n进行平坦化制程，以完全移除所述牺牲层且移除部分所述射频物理气相沉积过渡金属化合物层，而暴露出剩余的所述射频物理气相沉积过渡金属化合物层的顶部表面。/n
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