[发明专利]用于制造具有鳍型场效应晶体管的半导体器件的方法在审
| 申请号： | 201610115779.0 | 申请日： | 2016-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN106469685A | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 徐康一;金范洙;车知勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/8238 | 分类号： | H01L21/8238;H01L21/8242 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开提供了用于制造具有鳍型场效应晶体管的半导体器件的方法。一种用于制造半导体器件的方法包括在基板的第一区域中形成第一有源图案以及在基板的第二区域中形成第二有源图案，其中第一有源图案和第二有源图案从基板突出；在第二区域中的基板和第二有源图案上形成第二衬垫图案，其中第二衬垫图案具有第二极性；在第一区域中的基板和第一有源图案上形成第一衬垫图案，其中第一衬垫图案具有不同于第二极性的第一极性；在第一区域中的第一衬垫图案和第二区域中的第二衬垫图案上形成隔离图案；以及通过使隔离图案凹进而暴露第一有源图案和第二有源图案。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 制造 具有 场效应 晶体管 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种用于制造半导体器件的方法，包括：在基板的第一区域中形成第一有源图案以及在所述基板的第二区域中形成第二有源图案，其中所述第一有源图案和所述第二有源图案从所述基板突出；在所述第二区域中的所述基板和所述第二有源图案上形成第二衬垫图案，其中所述第二衬垫图案具有第二极性；在所述第一区域中的所述基板和所述第一有源图案上形成第一衬垫图案，其中所述第一衬垫图案具有不同于所述第二极性的第一极性；在所述第一区域中的所述第一衬垫图案和所述第二区域中的所述第二衬垫图案上形成隔离图案；以及通过使所述隔离图案凹进而暴露所述第一有源图案和所述第二有源图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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