[发明专利]图像传感器及其形成方法

摘要

本发明提供了一种图像传感器及形成方法，所述图像传感器包括：绝缘体上硅(SOI)衬底，所述SOI衬底包括：晶圆背面吸收层；底层衬底；位于底层衬底上方的埋氧层；位于埋氧层上方的顶层衬底。所述顶层衬底包括像素区和位于所述像素区外围的吸收区；所述像素区包括光电二极管PD和晶体管单元。所述吸收区中有吸收结构，所述吸收结构包括多晶层和位于多晶层表面的覆盖层，所述吸收层为多晶层和覆盖层交替排列的叠层结构。所述覆盖层用于抑制多晶层的再结晶，所述吸收结构能有效吸收顶层衬底中的金属杂质，降低暗电流，提高图像质量。

主权项

1.一种图像传感器，其特征在于，包括：叠层衬底，所述叠层衬底包括：底层衬底；位于底层衬底表面的埋氧层；位于埋氧层表面的顶层衬底，所述叠层衬底包括像素区和位于所述像素区外围的吸收区；位于所述像素区的半导体器件单元；位于吸收区叠层衬底中的吸收结构，所述吸收结构包括吸收层，所述吸收层包括多晶层;所述吸收层还包括：位于多晶层表面的覆盖层；所述吸收结构为由多层不同的吸收层形成的叠层结构；所述吸收结构中，由多晶层和位于多晶层表面的覆盖层形成的吸收层为第一吸收层，仅由多晶层形成的吸收层为第二吸收层；所述覆盖层的厚度为10埃～100埃；所述多晶层的厚度为100埃～1000埃。