[发明专利]发光二极管芯片在审
| 申请号： | 201610089246.X | 申请日： | 2016-02-17 |
| 公开（公告）号： | CN105895763A | 公开（公告）日： | 2016-08-24 |
| 发明（设计）人： | 赖腾宪;郭祐祯;康凯舜;兰彦廷;黄靖恩 | 申请（专利权）人： | 新世纪光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/38 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马雯雯;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台南*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种发光二极管芯片，包括半导体组件层、第一电极、电流阻挡层、电流分散层以及第二电极。半导体组件层包括第一型掺杂半导体层、发光层以及第二型掺杂半导体层。电流阻挡层包括主体以及多个分别从主体朝向第一电极延伸的延伸部。电流分散层覆盖电流阻挡层。第二电极配置于电流分散层上，且包括焊垫以及多个从焊垫延伸的指部。这些指部位于这些延伸部上方，其中这些延伸部的宽度大于对应指部的宽度，延伸部沿着一排列方向排列，且在排列方向上，较靠近发光二极管芯片边缘的延伸部具有较小的宽度。本发明具有电流阻挡层以有效控制电流聚集的位置，进而有效提升发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
一种发光二极管芯片，其特征在于，包括：一半导体组件层，包括一第一型掺杂半导体层、一发光层以及一第二型掺杂半导体层，其中所述发光层位于所述第一型掺杂半导体层与所述第二型掺杂半导体层之间；一第一电极，与所述第一型掺杂半导体层电性连接；一电流阻挡层，配置于所述第二型掺杂半导体层上，所述电流阻挡层包括一主体以及多个延伸部；一电流分散层，配置于所述第二型掺杂半导体层上以覆盖所述电流阻挡层；以及一第二电极，配置于所述电流分散层上，所述第二电极包括一焊垫以及多个从所述焊垫延伸的指部，且所述多个指部位于所述多个延伸部上方，其中所述多个延伸部的宽度大于对应指部的宽度，且较靠近发光二极管芯片边缘的延伸部具有较小的宽度。
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