[发明专利]薄膜晶体管基板的制造方法及其应用

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管基板的制造方法及其应用，薄膜晶体管基板即使在以剥离液组合物进行处理之后硬化膜(有机膜)的体积电阻率依旧高。本发明的薄膜晶体管基板的制造方法依序包括至少步骤1～步骤6：步骤1：使用特定的硬化性组合物在薄膜晶体管基板上的至少一部分形成有机膜的步骤；步骤2：在有机膜上的至少一部分形成无机膜的步骤；步骤3：在无机膜上形成抗蚀剂层的步骤；步骤4：对抗蚀剂层进行曝光且显影的步骤；步骤5：经由经显影的抗蚀剂层对无机膜进行蚀刻的步骤；步骤6：使用特定的剥离液组合物将抗蚀剂层剥离除去的步骤。

主权项

1.一种薄膜晶体管基板的制造方法，其特征在于依序包括至少下述步骤1～步骤6：步骤1：使用下述组成a或组成b所表示的硬化性组合物，在具备薄膜晶体管元件的基板上的至少一部分形成有机膜的步骤；步骤2：在所述有机膜上的至少一部分形成无机膜的步骤；步骤3：在所述无机膜上使用抗蚀剂组合物形成抗蚀剂层的步骤；步骤4：对所述抗蚀剂层进行曝光且利用水性显影液进行显影的步骤；步骤5：经由经显影的所述抗蚀剂层对所述无机膜进行蚀刻的步骤；步骤6：使用剥离液组合物将所述抗蚀剂层剥离除去的步骤，所述剥离液组合物含有具有3元环～6元环的环状碳酸酯化合物和/或具有3元环～6元环的内酯化合物；组成a为含有下述成分A～C且满足下述1～3的至少一个的硬化性组合物，硬化性组合物的每1g有机固体成分中的来源于成分A的交联性基量为0.1mmol/g以上且3.0mmol/g以下，或者硬化性组合物的每1g有机固体成分中的来源于成分A和成分D的交联性基量的合计量为0.1mmol/g以上且3.0mmol/g以下：作为成分A的含有聚合物的聚合物成分，所述聚合物包含具有酸基经酸分解性基保护而成的基团的构成单元a1；作为成分B的光酸产生剂；作为成分C的有机溶剂；1：所述聚合物还包含具有交联性基的构成单元a2；2：成分A还含有包含构成单元a2的聚合物，所述构成单元a2具有交联性基；3：硬化性组合物还含有作为成分D的分子量1,000以下的交联剂；组成b为含有下述成分A'、B'、C以及D的硬化性组合物，硬化性组合物的每1g有机固体成分中的来源于成分A'的交联性基量为0.1mmol/g以上且3.0mmol/g以下，或者硬化性组合物的每1g有机固体成分中的来源于成分A'和成分D的交联性基量的合计量为0.1mmol/g以上且3.0mmol/g以下：作为成分A'的含有聚合物的聚合物成分，所述聚合物包含具有酸基的构成单元a1'；作为成分B'的醌二叠氮化合物；作为成分C的有机溶剂；作为成分D的任意的分子量1,000以下的交联剂。