[发明专利]磁集成器件及功率转换电路在审
申请号: | 201610087764.8 | 申请日: | 2016-02-16 |
公开(公告)号: | CN106057431A | 公开(公告)日: | 2016-10-26 |
发明(设计)人: | 胡长军 | 申请(专利权)人: | 中兴通讯股份有限公司 |
主分类号: | H01F27/24 | 分类号: | H01F27/24;H01F27/34;H01F27/30;H02M1/00 |
代理公司: | 深圳市世纪恒程知识产权代理事务所 44287 | 代理人: | 胡海国 |
地址: | 518057 广东省深圳市南山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种磁集成器件及功率转换电路,该磁集成器件包括形成有N个并排且紧靠设置的“日”字型闭合框架的磁芯组件,每一“日”字型闭合框架的中柱上设置有气隙;每一中柱上缠绕有线圈,N个“日”字型闭合框架的中柱上的线圈电流的相位自首至尾递增或者递减,且相邻两“日”字型闭合框架的中柱上的线圈电流的相位差为360/N度;其中,N为大于1的自然数。本发明能够减少磁集成器件的体积,且能够降低磁集成器件的磁芯损耗。 | ||
搜索关键词: | 集成 器件 功率 转换 电路 | ||
【主权项】:
一种磁集成器件,其特征在于,包括形成有N个并排且紧靠设置的“日”字型闭合框架的磁芯组件,每一所述“日”字型闭合框架的中柱上设置有气隙;每一所述中柱上缠绕有线圈,所述N个“日”字型闭合框架的中柱上的线圈电流的相位自首至尾递增或者递减,且相邻两所述“日”字型闭合框架的中柱上的线圈电流的相位差为360/N度;其中,所述N为大于1的自然数。
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