[发明专利]一种GaN基发光二极管芯片的制备方法

摘要

一种GaN基发光二极管芯片的制备方法，包括以下步骤：(1)在p型GaN层的表面生长透明导电膜，在透明导电膜表面制作出导电层图形；(2)在芯片表面匀正性光刻胶，制作出p型GaN台面结构图形；(3)在芯片表面匀负性光刻胶，制作出负性光刻胶的电极初步图形；(4)将显影后带有负性光刻胶的芯片进行无光刻版全面曝光；(5)去除光刻胶图形底膜；(6)对芯片进行显影，对光刻胶图形底部进行再钻蚀；(7)制备p型电极和n型电极，得到GaN基发光二极管芯片；(8)在GaN基发光二极管芯片表面上制作钝化层。该方法增大接触或接近式光刻机用负胶制作小线宽电极时的工艺窗口，实现了用接触或接近式光刻机制作线宽在4μm以下电极的工艺。

主权项

1.一种GaN基发光二极管芯片的制备方法，其特征是，包括以下步骤：(1)在GaN基发光二极管芯片的p型GaN层的表面生长一层透明导电膜，再在透明导电膜上匀正性光刻胶制作光刻胶保护图形，制作出电流扩展层图形，然后去掉光刻胶；(2)在透明导电膜表面匀正性光刻胶，通过曝光和显影，制作出正性光刻胶的p型GaN台面结构图形，去除表面的光刻胶；然后进行干法刻蚀沿GaN基发光二极管芯片的p型GaN层到n型GaN层刻蚀出台面结构，在n型GaN层上制备出台面，去除表面的光刻胶；(3)在芯片表面匀负性光刻胶，通过烘烤、曝光和显影，在透明导电膜和n型GaN层上光刻出p型电极区域和n型电极区域；(4)将芯片再次进行无光刻版曝光，进一步稳定光刻胶形貌，再将芯片进行坚膜处理；(5)将芯片进行干法刻蚀，刻掉显影时应该显掉区域残留的光刻胶底膜，将图形显开区光刻胶底膜及拖尾全部刻蚀干净，使光刻胶外形修理整齐；(6)将芯片放入显影液显影1分钟‑5分钟，使光刻胶图形底部再钻蚀0.2μm‑2μm；(7)在p型电极区域和n型电极区域蒸镀金属电极膜，通过剥离分别在透明导电膜和n型GaN层的台面上制备出p型电极和n型电极，得到GaN基发光二极管芯片；(8)在GaN基发光二极管芯片表面上制作钝化层；所述步骤(3)的具体过程是：在芯片表面匀负性光刻胶，厚度2.5μm‑5μm，在90℃‑120℃下烘烤1‑2分钟，然后用接触式光刻机或接近式光刻机在紫外线下曝光20‑120秒，再在90‑100℃下烘烤1‑2分钟，再使用四甲基氢氧化铵溶液显影30‑100秒，从而在透明导电膜和n型GaN层上光刻出p型电极区域和n型电极区域；所述步骤(6)中的显影液为2.38％的四甲基氢氧化铵溶液。