[发明专利]薄膜晶体管基底、其制造方法、显示装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610082176.5 | 申请日： | 2016-02-05 |
| 公开（公告）号： | CN105870126B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 金铉哲 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L23/532;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 刘灿强;尹淑梅 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了一种薄膜晶体管(TFT)基底、包括TFT基底的显示装置、制造TFT基底的方法和制造显示装置的方法。所述薄膜晶体管(TFT)基底包括：基底；TFT，在基底上；以及绝缘层，包括至少一个虚设孔，所述至少一个虚设孔在TFT的上部区域和TFT的外围区域中的一个或更多个中，在至少一个虚设孔中填埋的材料是与绝缘层的材料不同的绝缘材料。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 基底 制造 方法 显示装置 及其 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管基底，所述薄膜晶体管基底包括：基底；薄膜晶体管，在所述基底上；以及绝缘层，包括至少一个虚设孔，所述至少一个虚设孔在所述薄膜晶体管的上部区域或所述薄膜晶体管的外围区域中的一个或更多个中，在所述至少一个虚设孔中填埋的材料是与所述绝缘层的材料不同的绝缘材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司，未经三星显示有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610082176.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种磁悬浮音响
- 下一篇：带有减震底座的家用音箱
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
