[发明专利]一种碳化硅单晶生长用坩埚结构有效
| 申请号： | 201610071880.0 | 申请日： | 2016-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN105543965A | 公开（公告）日： | 2016-05-04 |
| 发明（设计）人： | 李龙远 | 申请（专利权）人： | 北京华进创威电子有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B23/00 |
| 代理公司： | 北京中创阳光知识产权代理有限责任公司 11003 | 代理人： | 尹振启 |
| 地址： | 101111 北京市大*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅单晶生长用坩埚结构，包括：坩埚本体，所述坩埚本体的内腔底部中心设置有凸起的埚底凸台，所述埚底凸台的高度不凸出于碳化硅原料。本发明能够提高原料的利用率、有效的降低产品的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 生长 坩埚 结构 | ||
【主权项】：
一种碳化硅单晶生长用坩埚结构，其特征在于，包括：坩埚本体，所述坩埚本体的内腔底部中心设置有凸起的埚底凸台，所述埚底凸台的高度不凸出于碳化硅原料。
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