[发明专利]一种改性聚乙烯基咔唑类高分子发光材料及其制备方法有效
申请号: | 201610071651.9 | 申请日: | 2016-02-02 |
公开(公告)号: | CN105601813B | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | 郭建维;李雄;吴彤彪;傅淑琴 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | C08F226/12 | 分类号: | C08F226/12;C08F212/32;C09K11/06 |
代理公司: | 广州市南锋专利事务所有限公司44228 | 代理人: | 刘媖 |
地址: | 510090 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种改性聚乙烯基咔唑类高分子发光材料及其制备方法,属于有机发光材料技术领域;该高分子发光材料平均分子量为11000,分子量分布1.2附近,分解温度为410℃;合成时利用金刚烷衍生物结构大体积的空间位阻改变聚合物的空间排列,降低聚合物的无序性从而提高其荧光效率,具体包括1‑苯基金刚烷的合成、1‑(4‑溴苯基)金刚烷的合成、4‑金刚烷基苯甲醛的合成、4‑金刚烷基苯乙烯的合成和改性聚乙烯基咔唑类高分子发光材料聚合物的合成五个步骤;本发明方法,工艺简单,成本低廉,产率较高,且可操作性强,重现性好;所合成的含金刚烷衍生物基聚乙烯基咔唑结构具有高的热稳定性和高荧光强度,而且合成的有机发光材料在有机溶剂中的溶解性好。 | ||
搜索关键词: | 一种 改性 聚乙烯 基咔唑类 高分子 发光 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种改性聚乙烯基咔唑类高分子发光材料,其特征在于:高分子发光材料在合成时利用大体积空间位阻的金刚烷衍生物结构改变聚合物中乙烯基咔唑的空间排列,降低其无序性从而达到提高荧光效率的效果,其结构式如下:所制得的高分子发光材料经凝胶渗透色谱进行表征,平均分子量为11000,分子量分布1.2附近;在340nm波长激发下,合成的高分子发光材料固体薄膜的荧光发射峰位于405nm;所制得的高分子发光材料热分解温度为410℃。
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