[发明专利]可流动膜和形成可流动膜的方法在审
| 申请号： | 201610063826.1 | 申请日： | 2016-01-29 |
| 公开（公告）号： | CN106469643A | 公开（公告）日： | 2017-03-01 |
| 发明（设计）人： | 王冠程;许峻豪;萧寒稊;林耕竹 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/762;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 实施例是方法，方法包括在加工区中在衬底上方沉积第一可流动膜，第一可流动膜包括硅和氮，在第一步中在第一温度下使用第一工艺气体和紫外光固化第一可流动膜，第一工艺气体包括氧气，在第二步中在第二温度下使用第二工艺气体和紫外光固化第一可流动膜，第二工艺气体不同于第一工艺气体，以及在第三温度下退火固化的第一可流动膜以在衬底上方将固化的第一可流动膜转化为氧化硅膜。本发明实施例涉及可流动膜和形成可流动膜的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 流动 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种方法，包括：在加工区中的衬底上方沉积第一可流动膜，所述第一可流动膜包括硅和氮；在第一步骤中在第一温度下使用第一工艺气体和紫外光固化所述第一可流动膜，所述第一工艺气体包括氧气；在第二步骤中在第二温度下使用第二工艺气体和紫外光固化所述第一可流动膜，所述第二工艺气体不同于所述第一工艺气体；以及在第三温度下退火所述固化的第一可流动膜以在所述衬底上方将所述固化的第一可流动膜转化为氧化硅膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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