[发明专利]制造3D装置的方法和前体

摘要

本文描述了包含多个含硅层的装置，其中该含硅层选自氧化硅和氮化硅层或薄膜。本文还描述了形成例如待用作3D垂直NAND闪存堆叠的装置的方法。在所述装置的一个具体的方面中，氧化硅层具有轻微压缩应力和良好的热稳定性。在所述装置的这一或其他方面中，氮化硅层具有轻微拉伸应力和在最高达约800℃的热处理后小于300MPa的应力变化。在所述装置的这一或其他方面中，氮化硅层在热H3PO4中的蚀刻比氧化硅层快得多，表明良好的蚀刻选择性。

主权项

一种用于将包含氧化硅层和氮化硅层的多个含硅层沉积在衬底的至少一个表面上的方法，所述方法包括：向反应室提供所述衬底的所述至少一个表面；向所述反应室中引入至少一种选自具有式I‑III的化合物的硅前体：其中R各自独立地选自氢；直链或支链C₂‑C₁₀烷基；直链或支链C₂‑C₁₂烯基；直链或支链C₂‑C₁₂炔基；C₄‑C₁₀环烷基；和C₆‑C₁₀芳基；和R¹各自独立地选自直链或支链C₁‑C₁₀烷基；直链或支链C₃‑C₁₂烯基；直链或支链C₃‑C₁₂炔基；C₄‑C₁₀环烷基；和C₆‑C₁₀芳基；向所述反应室中引入选自含氧源和含氮源的源；和经由气相沉积工艺将多层堆叠沉积在所述衬底的所述至少一个表面上，其中所述气相沉积工艺选自化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、循环化学气相沉积(CCVD)、等离子体增强循环化学气相沉积(PECCVD)、原子层沉积(ALD)和等离子体增强原子层沉积(PEALD)；优选的是等离子体增强化学气相沉积(PECVD)；其中所述至少一个氧化硅层具有选自以下的一个或多个性质：密度为约1.9克每立方厘米(g/cm³或g/cc)或更大；氢含量为4x10²²个原子/cm³或更小；应力范围为约‑300MPa至‑100MPa；介电常数为4.5或更低；在8MV/cm或更高的薄膜击穿电场下的泄漏电流为10^‑9A/cm²或更低；和其组合；其中所述至少一个氮化硅层具有一个或多个以下性质：密度为约2.2g/cm³或更大；氢含量为约4x10²²个原子/cm³或更低；应力范围为约50MPa至约300MPa；在约700到约1000℃下的至少一种热处理后应力变化为300MPa或更小；在热H₃PO₄中的湿蚀刻速率为10nm/min或更大；和其组合。