[发明专利]SiC单晶的制造方法在审
| 申请号： | 201610039181.8 | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105821479A | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 山城浩嗣;阿部信平 | 申请（专利权）人： | 丰田自动车株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/36 | 分类号： | C30B29/36;C30B9/04 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 李英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及SiC单晶的制造方法。提供一种能够使石墨坩埚内的Si-C溶液充分地对流而不使单晶制造装置大型化的SiC单晶的制造方法。SiC单晶的制造方法，其包括：使第一频率的高频电流流经配置于石墨坩埚周围的感应加热线圈，将原料Si加热至规定温度，使上述原料Si熔化，同时使C从上述石墨坩埚溶解从而形成Si-C溶液，在加热至上述规定温度之后，使频率从第一频率降至第二频率，对上述Si-C溶液进行保温保持。 | ||
| 搜索关键词： | sic 制造 方法 | ||
【主权项】：
SiC单晶的制造方法，其为使晶种与C的Si溶液接触以使SiC单晶生长的基于溶液法的SiC单晶的制造方法，其包括：使第一频率的高频电流流经配置于石墨坩埚周围的感应加热线圈，将原料Si加热至规定温度，使所述原料Si熔化，同时使C从所述石墨坩埚溶解从而形成Si‑C溶液，在加热至所述规定温度之后，使频率从第一频率降至第二频率，对所述Si‑C溶液进行保温保持。
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