[发明专利]硅基电光调制器倾斜PN结掺杂结构有效
| 申请号： | 201610036914.2 | 申请日： | 2016-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN105511120B | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 周治平;李心白 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | G02F1/025 | 分类号： | G02F1/025 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李相雨 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种硅基电光调制器掺杂结构，该掺杂结构包括：硅基电光调制器调制区波导，所述波导沿第一方向依次包括第一重掺杂区、第二轻掺杂区、第三轻掺杂区以及第四重掺杂区；所述第二轻掺杂区与所述第三轻掺杂区形成至少一个纵向倾斜PN结和至少一个横向倾斜PN结，所述纵向垂直于所述横向；所述纵向与所述第一方向之间呈第一夹角，所述第一夹角大于0°且小于90°。本发明可在提高硅基电光调制器的调制效率的同时降低调制能耗，并可使波导核心区的每一个掺杂区均可直接通过侧向波导实现电学连接，保证系统高速调制性能。 | ||
| 搜索关键词： | 硅基电光调制器 轻掺杂区 波导 掺杂 重掺杂区 侧向 保证系统 波导核心 电学连接 调制效率 高速调制 横向倾斜 纵向垂直 纵向倾斜 掺杂区 调制区 调制 能耗 | ||
【主权项】：
1.一种硅基电光调制器倾斜PN结掺杂结构，其特征在于，包括：硅基电光调制器调制区波导，所述波导沿第一方向依次包括第一重掺杂区、第二轻掺杂区、第三轻掺杂区以及第四重掺杂区；所述第二轻掺杂区与所述第三轻掺杂区形成至少一个纵向倾斜PN结和至少一个横向倾斜PN结，所述纵向垂直于所述横向；所述纵向与所述第一方向之间呈第一夹角，所述第一夹角大于0°且小于90°；所述纵向倾斜PN结的掺杂平面和/或所述横向倾斜PN结的掺杂平面与第一平面之间呈第二夹角，所述第二夹角大于0°且小于90°，所述第一平面为所述波导中光的传播方向与所述第一方向确定的平面；其中，所述第一重掺杂区的掺杂类型与所述第二轻掺杂区的掺杂类型相同；所述第一重掺杂区的掺杂类型与所述第四重掺杂区的掺杂类型相反；所述第三轻掺杂区的掺杂类型与所述第四重掺杂区的掺杂类型相同。
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