[发明专利]使用p-AlGaN作为电子阻挡层的非极性面ZnO紫外LED器件在审
| 申请号： | 201610030877.4 | 申请日： | 2016-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN105609604A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 陈景文;张骏;王帅;戴江南;陈长清 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430074 *** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种ZnO紫外发光二极管（light emitting diode, LED）器件。所述器件，从下至上依次包括：蓝宝石衬底，高温AlN成核层，AlxGa1-xN本征层，p型AlxGa1-xN层和n型ZnO层。本发明还提供了所述器件的制备方法。本发明叙述的器件外延层晶体生长方向为非极性面。沿非极性面生长的外延层中没有因极化效应导致的内量子效率下降等问题，有利于提高LED发光效率。同时，本发明使用AlxGa1-xN作为空穴注入层的同时，将其用作电子阻挡层，有利于电子在ZnO层与空穴复合发光。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 algan 作为 电子 阻挡 极性 zno 紫外 led 器件 | ||
【主权项】：
使用p‑AlGaN作为电子阻挡层的非极性面ZnO紫外LED器件，其特征在于：该器件结构从下向上的顺序依次为衬底、高温AlN成核层的厚度、AlxGa1‑xN本征层、p型AlxGa1‑xN层、n型ZnO厚度。
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