[发明专利]粘附性高的铜导电薄膜、其制备方法及应用有效
| 申请号： | 201610027828.5 | 申请日： | 2016-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN106981342B | 公开（公告）日： | 2019-03-08 |
| 发明（设计）人： | 吴馨洲;陈征;邵霜霜;崔铮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01B13/00 | 分类号： | H01B13/00;H01B5/14 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本发明公开了一种制备粘附性高的铜导电薄膜的方法，其包括：将粒径大于50nm且表面氧化层厚度小于2nm的铜颗粒分散在基底表面，形成铜膜；在空气气氛中对所述铜膜进行氙灯烧结，形成铜导电薄膜，其中采用的氙灯功率应使所述基底表面在烧结过程中承受的温度低于所述基底表层的玻璃化温度。本发明还公开了一种粘附性高的铜导电薄膜及其应用。本发明提供的粘附性高导电铜膜的制备方法操作简单，可采用非常低的氙灯功率，能耗低，且需额外添加增粘剂即可在低玻璃化转变温度衬底上实现粘附性高导电铜膜的制备，适于工业化生产。 | ||
| 搜索关键词： | 粘附 导电 薄膜 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
1.一种粘附性高的铜导电薄膜的制备方法，其特征在于包括：将粒径为50～300nm且表面氧化层厚度为0～2nm的铜颗粒分散于溶剂中形成分散液；以所述分散液作为墨水，通过印刷方式于基底表面形成铜膜；在空气气氛中对所述铜膜进行氙灯烧结，其中采用的氙灯功率应使所述基底表面在烧结过程中承受的温度高于所述基底表层的玻璃化温度，从而形成铜导电薄膜，且使所述铜导电薄膜下部嵌入所述基底。
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