[发明专利]基于衍射的套刻测量标记、套刻测量方法和测量装置有效
申请号: | 201610016077.7 | 申请日: | 2016-01-11 |
公开(公告)号: | CN106959587B | 公开(公告)日: | 2019-07-02 |
发明(设计)人: | 蒋运涛 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种基于衍射的套刻测量标记、套刻测量方法和测量装置,其中所述基于衍射的套刻测量标记包括:第一基准光栅和第二基准光栅;位于第一基准光栅的延伸方向上,且相对于其在第一方向的正向上偏移的第三基准光栅,位于第二基准光栅的延伸方向上,且相对于其在第一方向的负向上偏移的第四基准光栅;位于第一基准光栅上方,且相对于其在第一方向的正向上偏移的第一比较光栅;位于第二基准光栅上方,且相对于其在第一方向的负向上偏移的第二比较光栅;位于第三基准光栅上方,且相对于其在第一方向的负向上偏移的第三比较光栅;位于第四基准光栅上方,且相对于其在第一方向的正向上偏移的第四比较光栅。本发明的套刻测量标记提高了套刻测量的精度。 | ||
搜索关键词: | 基于 衍射 测量 标记 测量方法 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基于衍射的套刻测量标记,其特征在于,包括:基底;位于基底上的第一基准光栅和第二基准光栅,第二基准光栅位于第一基准光栅一侧,第一基准光栅和第二基准光栅均包括若干沿第一方向依次分布且相互平行的条状区和位于相邻条状区之间的凹陷区,条状区向两端的延伸方向为第二方向,第二方向与第一方向垂直;位于基底上的第三基准光栅和第四基准光栅,第四基准光栅位于第三基准光栅一侧,且第三基准光栅位于第一基准光栅的条状区向两端的延伸方向上,第四基准光栅位于第二基准光栅的条状区向两端的延伸方向上,第三基准光栅和第四基准光栅与第一基准光栅的结构相同,且第三基准光栅相对于第一基准光栅在第一方向的正向上偏移第一偏移值,第四基准光栅相对于第二基准光栅在第一方向的负向上偏移第一偏移值;位于第一基准光栅上方的第一比较光栅,所述第一比较光栅相对于第一基准光栅在第一方向的正向上偏移第一偏移值;位于第二基准光栅上方的第二比较光栅,所述第二比较光栅相对于第二基准光栅在第一方向的负向上偏移第一偏移值;位于第三基准光栅上方的第三比较光栅,所述第三比较光栅相对于第三基准光栅在第一方向的负向上偏移第一偏移值;位于第四基准光栅上方的第四比较光栅,所述第四比较光栅相对于第四基准光栅在第一方向的正向上偏移第一偏移值;第一比较光栅、第二比较光栅、第三比较光栅和第四比较光栅的结构与第一基准光栅的结构相同;且所述第一比较光栅的顶部表面的高度等于第三比较光栅的顶部表面高度,所述第二比较光栅的顶部表面的高度等于第四比较光栅的顶部表面高度,且所述第二比较光栅的顶部表面的高度与第一比较光栅的顶部表面的高度不相同,所述第四比较光栅的顶部表面的高度与第三比较光栅的顶部表面的高度不相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司,未经中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610016077.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。