[发明专利]一种基于单晶圆的硅帽加盖方法有效
| 申请号： | 201610015034.7 | 申请日： | 2016-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN105513974B | 公开（公告）日： | 2018-06-19 |
| 发明（设计）人： | 张华 | 申请（专利权）人： | 苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/52;H01L21/60 |
| 代理公司： | 苏州市中南伟业知识产权代理事务所(普通合伙) 32257 | 代理人： | 李阳 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市工业*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种基于单晶圆的硅帽加盖方法，该方法通过单个圆片即可完成整个加工工艺，同时可以利用硅帽制作互联TSV引线，引申后可以实现封装集成，避免使用额外圆片加工硅帽，而且避免了使用键合工艺，避免键合对位误差带来的影响，省去双面对位的工艺需求，降低了生产成本。 1 | ||
| 搜索关键词： | 硅帽 单晶 加盖 圆片 对位误差 封装集成 工艺需求 键合工艺 键合 生产成本 互联 制作 加工 | ||
【主权项】：
1.一种基于单晶圆的硅帽加盖方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)在圆片上设计出芯片部分、硅帽封装部分和切割道区域，得到间隔放置的芯片区和硅帽区；(2)将硅帽区的加工工艺与芯片区的加工工艺进行简单集成，在完成芯片区的制作过程中一并完成硅帽区的制作；(3)制作一定厚度的柔性连接区域跨接芯片区和硅帽区；(4)在芯片区和硅帽区分别制备上金属键合区；(5)在芯片区或硅帽区上制备PAD区域作为电性连接点；(6)划开硅帽区与芯片区，由于柔性连接区域的存在，每个芯片均配对一个硅帽形成一对芯片组，该对芯片组与其它芯片组之间没有柔性连接区域存在，从而分成一个个独立的芯片小组；(7)利用固定手段对每一个芯片小组芯片区部分进行固定，再利用折弯工具，将硅帽区向芯片区做折弯扣下动作，使芯片区和硅帽区上的键合区域互相接触，从而完成芯片硅帽加盖。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司，未经苏州工业园区纳米产业技术研究院有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610015034.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
