[发明专利]具有优化的产量和稳定性的EUV光刻系统和方法有效
| 申请号： | 201610011949.0 | 申请日： | 2016-01-08 |
| 公开（公告）号： | CN105988306B | 公开（公告）日： | 2018-04-10 |
| 发明（设计）人： | 卢彦丞;陈政宏;吴善德;严涛南 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司11409 | 代理人： | 章社杲,李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种极紫外(EUV)光刻工艺。该工艺包括将晶圆加载至具有EUV源的EUV光刻系统；根据曝光剂量和EUV源的等离子体状态来确定剂量裕度；以及使用曝光剂量和剂量裕度，通过来自EUV源的EUV光来对晶圆执行光刻曝光工艺。本发明还提供了另一种极紫外(EUV)光刻工艺以及一种极紫外(EUV)光刻系统。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 优化 产量 稳定性 euv 光刻 系统 方法 | ||
【主权项】：
一种极紫外EUV光刻工艺，包括：将晶圆加载至具有EUV源的EUV光刻系统，所述EUV源被配置为从目标材料液滴产生EUV光；根据曝光剂量和所述EUV源的等离子体状态来确定剂量裕度，其中，所述剂量裕度表示保留下来用于剂量控制的所述目标材料液滴的数量；以及使用所述曝光剂量和所述剂量裕度，通过来自所述EUV源的EUV光来对所述晶圆执行光刻曝光工艺。
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